ICC訊 據(jù)俄羅斯國(guó)際新聞通訊社報(bào)道,圣彼得堡理工大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出了一種“國(guó)產(chǎn)光刻復(fù)合體”,可用于蝕刻生產(chǎn)無(wú)掩模芯片,這將使“解決俄羅斯在微電子領(lǐng)域的技術(shù)主權(quán)問(wèn)題”成為可能。
圣彼得堡理工大學(xué)代表透露。該設(shè)備綜合體包括用于無(wú)掩模納米光刻和等離子體化學(xué)蝕刻的設(shè)備。據(jù)介紹,其中一種工具的成本為 500 萬(wàn)盧布(當(dāng)前約 36.3 萬(wàn)元人民幣),另一種工具的成本未知。
第一種設(shè)備可用于在基底上獲得圖像,而無(wú)需特殊掩模。據(jù)開(kāi)發(fā)人員稱,與傳統(tǒng)光刻技術(shù)相比,無(wú)論是在成本還是時(shí)間方面,這項(xiàng)技術(shù)都劃算得多,因?yàn)閭鹘y(tǒng)光刻技術(shù)需要使用專門的掩膜板來(lái)獲取圖像。該裝置由專業(yè)軟件控制,可實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化。
這位代表稱,該綜合體由圣彼得堡理工大學(xué)開(kāi)發(fā),旨在創(chuàng)建“各種微電子設(shè)備運(yùn)行”所需的“納米結(jié)構(gòu)”。該工藝的第一階段需要使用基礎(chǔ)掩模光刻機(jī),第二階段則需要用到硅等離子化學(xué)蝕刻機(jī)。
據(jù)悉,第二種裝置需要用到第一階段在基底上創(chuàng)建的圖像。俄新社寫(xiě)道,該設(shè)備可直接用于形成納米結(jié)構(gòu),但也可以制作硅膜,例如用于艦載超壓傳感器。
該項(xiàng)目的作者向俄新社保證,在這種機(jī)器上制作的硅膜“在可靠性和靈敏度方面超過(guò)了用液體或激光蝕刻方法制作的硅膜”。他們還強(qiáng)調(diào),這是完全的(俄羅斯)國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品。
實(shí)際上,圣彼得堡理工大學(xué)并不是唯一一所致力于研究先進(jìn)的國(guó)產(chǎn)光刻解決方案的機(jī)構(gòu)。早在 2022 年 10 月,俄羅斯科學(xué)院下諾夫哥羅德應(yīng)用物理研究所就宣布開(kāi)始朝這個(gè)方向展開(kāi)工作,但其目標(biāo)略有不同。
公開(kāi)資料顯示,截至 2023 年 10 月,俄羅斯最多可以使用 65nm 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),而該技術(shù)在近 20 年前就已經(jīng)幾乎被淘汰了,不過(guò)俄羅斯現(xiàn)在正在建設(shè) 28nm 芯片工廠。
據(jù)稱,諾夫哥羅德應(yīng)用物理研究所正在努力縮小俄羅斯與世界其他國(guó)家之間的巨大差距,而他們的專家正在開(kāi)發(fā)第一款國(guó)產(chǎn)光刻機(jī),能夠生產(chǎn) 7nm 拓?fù)湫酒?。然而,這仍需要數(shù)年時(shí)間,至少要到 2028 年才能開(kāi)始全面運(yùn)行。
新聞來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇
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