新品推介 | 聯(lián)訊儀器12通道PXIe SMU，1μV/1pA極小分辨率，探索高密度測量新邊界

探索高密度測量新邊界

  在今天半導體工藝不斷迭代與新能源迅猛發(fā)展的時代背景下，測試設備的精度與效率已成為推動產業(yè)發(fā)展與突破的關鍵性因素。聯(lián)訊儀器PXIe SMU 12通道精密源表模塊全新升級，以1μV/1pA極小分辨率與1MS/s采樣率重新劃定了高密度集成與高動態(tài)響應場景下的測試極限，為光通信、半導體行業(yè)升級注入了強勁的創(chuàng)新動能。

  性能升級

  為何它讓行業(yè)沸騰?

  分辨率高達1μV/1pA

  電壓和電流的測量分辨率分別高達1μV和1pA，能夠精確捕捉nA級漏電流、超低功耗器件的“呼吸級”信號波動。

  12通道獨立/同步控制

  支持多通道并行測試，可同時完成多顆器件或芯片的IV特性掃描，大幅提升測試效率!

 

  1MS/s高速測量

  12通道均可支持最高1MS/s采樣率，瞬態(tài)信號無遺漏，毫秒級響應精準記錄。

  10V/50mA寬動態(tài)覆蓋

  從微瓦級物聯(lián)網芯片到高密度集成電路，一卡滿足多樣化電壓電流測試場景，告別設備頻繁切換!

直流IV輸出能力

  模塊化靈活擴展

  基于PXIe平臺，可與多種類型、多型號PXIe板卡無縫集成，構建全自動化測試系統(tǒng)。多張板卡堆疊使用可搭建上百通道源表測試系統(tǒng)。

  全棧自動化支持

  采用標準SCPI進行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語言控制，無縫融入現(xiàn)有測試平臺。

  應用場景

  誰將因它而蛻變?

硅光晶圓多探針同步測試

  硅光晶圓測試：破解高集成芯片的暗電流難題

  在硅光芯片制造中，nA級暗電流的精準測量直接決定器件性能與良率。

  S2014C憑借1pA分辨率，可穩(wěn)定捕捉超低暗電流信號，搭配12通道并行架構，支持晶圓級多探針同步測試，實現(xiàn)硅光器件漏電流、響應度等參數(shù)的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達芯片提供可靠性保障!

  電池研發(fā)與質檢：從材料到Pack的全周期賦能

  新能源電池的充放電曲線、循環(huán)壽命等關鍵指標依賴高精度SMU模塊。

  1MS/s采樣率可實時捕獲電池極化、內阻瞬變等微觀現(xiàn)象。

  多通道實現(xiàn)電芯模組自放電測試，大幅縮短BMS驗證周期。

多通道實現(xiàn)電芯模組自放電測試

  結語

  S2014C以高精度與微弱信號測試為核心優(yōu)勢，能夠精準捕捉毫伏級甚至微伏級的信號變化，為科研與工業(yè)應用提供可靠的數(shù)據支持。無論是復雜的測試場景還是嚴苛的測量需求，它都能以卓越的性能和穩(wěn)定性，滿足多樣化測試需求。