ICC訊 2022年,被稱為激光雷達(dá)規(guī)?;a(chǎn)的元年,根據(jù)Yole發(fā)布的《2022年汽車與工業(yè)領(lǐng)域激光雷達(dá)報(bào)告》顯示,中國(guó)廠商已成為全球車載激光雷達(dá)賽道的重要玩家,預(yù)計(jì)2022年有超過(guò)20萬(wàn)臺(tái)的激光雷達(dá)交付上車。隨著激光雷達(dá)性能、成本、可靠性等不斷優(yōu)化,2023年激光雷達(dá)有望出現(xiàn)爆發(fā)性的增長(zhǎng)。
作為激光雷達(dá)的重要組成之一的光源也隨著各種技術(shù)路線的競(jìng)爭(zhēng),引發(fā)了廣泛的關(guān)注和討論,EEL、VCSEL和MOPA光纖激光器是當(dāng)前三種主流激光器,在機(jī)械掃描、棱鏡旋轉(zhuǎn)掃描和MEMES掃描系統(tǒng)中,EEL覆蓋了長(zhǎng)中短距的各種應(yīng)用,是最理想的光源。在全區(qū)域爆閃模式下的固態(tài)激光雷達(dá),則根據(jù)距離的要求而選擇VCSEL或EEL。而應(yīng)用在分區(qū)控制等固態(tài)激光雷達(dá)應(yīng)用則可以充分利用VCSEL的多發(fā)光孔的特性,實(shí)現(xiàn)1D/2D控制,在短距固態(tài)應(yīng)用中成為優(yōu)選。
來(lái)源:Yole,觀研天下等
綜合Yole等機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),當(dāng)前激光雷達(dá)的光源仍然以EEL為主,占據(jù)55%的市場(chǎng)份額,VCSEL占有18%的份額。光源的制約因素主要有性能、成本、產(chǎn)業(yè)成熟度、人眼安全等因素,綜合來(lái)看,905nm EEL仍是目前激光雷達(dá)應(yīng)用綜合性能的最優(yōu)解,同時(shí)是市場(chǎng)的選擇。
但是,常規(guī)的EEL也存在一些性能缺點(diǎn),例如波長(zhǎng)溫漂系數(shù)通常為0.28nm/ K,遠(yuǎn)高于VCSEL的0.07nm/ K,這也成為限制EEL發(fā)展的重要因素,尤其在滿足車規(guī)級(jí)的-40℃~125℃溫度范圍內(nèi),光源本身的波長(zhǎng)變化率越小,探測(cè)器的帶通濾波器的波長(zhǎng)范圍就可以設(shè)置得更窄。鑒于此,作為國(guó)內(nèi)激光雷達(dá)發(fā)射芯片的領(lǐng)先供應(yīng)商瑞波光電日前推出具備自主核心技術(shù)的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列,波長(zhǎng)隨溫度變化系數(shù)小于0.09nm/K,部分型號(hào)達(dá)到0.06nm/K,在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL,實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術(shù)突破,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,同時(shí)削弱了VCSEL的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
瑞波公司新一代905芯片系列有四個(gè)特點(diǎn):
溫漂系數(shù)低,即波長(zhǎng)隨溫度的變化率低。一般市面上905nm的EEL激光器,波長(zhǎng)隨溫度變化率在0.28nm/ K,而瑞波新一代65W、135W、165W 905nm芯片系列的溫漂系數(shù)小于0.09nm/K,部分型號(hào)的溫漂系數(shù)為0.06nm/K。光源本身的波長(zhǎng)變化率越小,探測(cè)器的帶通濾波器的波長(zhǎng)范圍就可以設(shè)置得更窄,對(duì)于激光雷達(dá)整體的抗噪性能和測(cè)量精度的提高都有很大幫助。
功率密度高、功率高。在3J 65W等級(jí)產(chǎn)品里面實(shí)現(xiàn)了110μm業(yè)界超窄的發(fā)光線寬,在3J 135W和4J 165W等級(jí)實(shí)現(xiàn)220μm業(yè)界超窄的發(fā)光線寬,有助于支持實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離測(cè)距和高精度測(cè)距。激光器本身的發(fā)光尺寸越窄,經(jīng)過(guò)透鏡之后得到的平行光斑就越小,光斑中心部分光強(qiáng)就越強(qiáng),可以打得更遠(yuǎn),測(cè)的精度也越高。3J芯片和4J芯片的斜率效率分別達(dá)到了3.5W/A和4.5W/A, 其中新一代4J芯片實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)芯片里最高的輸出功率165W。
快軸和慢軸發(fā)散角得到優(yōu)化。瑞波公司新一代905nm芯片快軸發(fā)散角為22o,慢軸發(fā)散角為10 o,而常規(guī)905nm芯片的快軸發(fā)散角通常為30o,慢軸發(fā)散角17 o,這樣意味經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直后的實(shí)際等效功率密度會(huì)得到大大提升。
高溫下功率穩(wěn)定性全球最佳。瑞波公司新一代905nm芯片在環(huán)境溫度從25變化到125攝氏度,功率變化量小于30%,而該指標(biāo)的行業(yè)普遍水平為40-50%。高溫下功率穩(wěn)定意味著高熱負(fù)載下功率穩(wěn)定。據(jù)評(píng)估,瑞波芯片在500KHz高重頻下仍然有優(yōu)秀的輸出功率。
“我們認(rèn)為激光雷達(dá)中的EEL和VCSEL技術(shù),屬于既競(jìng)爭(zhēng)又補(bǔ)充的關(guān)系,就像VCSEL在不斷提升光功率密度一樣,EEL也在不斷優(yōu)化溫漂特性、發(fā)散角特性等性能,同時(shí)不斷降低成本,瑞波光電一直致力于開發(fā)高性能的EEL芯片,在保持高功率密度的前提下,不斷提升光學(xué)性能和溫度特性,為激光雷達(dá)的設(shè)計(jì)帶來(lái)系統(tǒng)性革新?!鄙钲谌鸩ü怆娮佑邢薰臼袌?chǎng)負(fù)責(zé)人于占濤表示。
“EEL相比VCSEL的最大技術(shù)優(yōu)勢(shì)是光功率密度非常高,比VCSEL至少高1個(gè)數(shù)量級(jí)。目前瑞波光電開發(fā)的905nm EEL芯片的功率密度可以達(dá)到50KW/mm2,而當(dāng)前VCSEL通過(guò)多結(jié)工藝將功率密度最高提升到2KW/mm2,但仍與EEL有很大的差距。”
從上述表中我們可以發(fā)現(xiàn),多結(jié)VCSEL相比低溫漂EEL,仍存在功率密度的短板,且低溫漂優(yōu)勢(shì)被追平,EEL可將溫漂降系數(shù)低到0.06nm/K甚至更低,VCSEL僅剩低成本、二維特性方面的優(yōu)勢(shì),但是EEL仍可以通過(guò)性能改進(jìn)和規(guī)?;圃欤窒鸙CSEL的優(yōu)勢(shì)。例如EEL可以通過(guò)規(guī)模效應(yīng)和自動(dòng)化制造技術(shù)將成本降低至VCSEL同等級(jí)別;EEL可以通過(guò)封裝實(shí)現(xiàn)二維可尋址陣列;新一代EEL的快軸發(fā)散角寬度已經(jīng)比上一代減少1/3,未來(lái)還有改善的空間;同時(shí)EEL有個(gè)優(yōu)勢(shì)是偏振態(tài)固定,而VCSEL的偏振態(tài)比較隨機(jī)、影響測(cè)距的精度。另外,VCSEL陣列在高功率輸出的同時(shí)工作電流需要達(dá)到數(shù)百A,這也對(duì)驅(qū)動(dòng)電源形成很大的挑戰(zhàn)。
未來(lái)瑞波光電將持續(xù)優(yōu)化溫漂系數(shù),進(jìn)一步做窄發(fā)射區(qū)尺寸,提升光功率密度,提升出光效率,繼續(xù)鞏固905nm EEL的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
在過(guò)去的2022年,瑞波905nm EEL激光雷達(dá)發(fā)射芯片通過(guò)車規(guī)AEC-Q102里四項(xiàng)測(cè)試項(xiàng)目,包括HTOL、WHTOL、 PTC 和ESD-HBM。瑞波還積累了超過(guò)500萬(wàn)器件小時(shí)的長(zhǎng)期壽命測(cè)試數(shù)據(jù),以此數(shù)據(jù)建立的壽命模型預(yù)測(cè)器件的壽命超過(guò)100萬(wàn)小時(shí)。憑借優(yōu)異的性能和高可靠性,瑞波光電目前已經(jīng)與國(guó)內(nèi)多家頭部激光雷達(dá)廠商展開深度合作,并實(shí)現(xiàn)批量的應(yīng)用。
作為可以探測(cè)更遠(yuǎn)距離或更廣視角并立體成像的傳感器,車規(guī)激光雷達(dá)已經(jīng)被證明是高級(jí)別輔助駕駛不可或缺的關(guān)鍵部件。隨著像素密度愈來(lái)愈高,體積越來(lái)越小,成本越來(lái)越低,激光雷達(dá)在ADAS及自動(dòng)駕駛傳感器中的比重會(huì)越來(lái)越大,同時(shí)也對(duì)激光芯片提出更高要求,瑞波光電愿與業(yè)界同仁一起,開發(fā)出滿足市場(chǎng)需求的高性能、高可靠性、低成本的激光雷達(dá)。
關(guān)于瑞波光電
深圳瑞波光電子有限公司是專業(yè)從事高端大功率半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)和生產(chǎn)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),擁有半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計(jì)、芯片制造工藝,芯片封裝、表征測(cè)試等全套核心技術(shù),可向市場(chǎng)提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片,封裝模塊及測(cè)試表征設(shè)備,并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。
公司芯片產(chǎn)品形式包括:①單管芯片(single-emitter)和bar條,功率從瓦級(jí)到數(shù)百瓦級(jí),波長(zhǎng)覆蓋從可見光到近紅外波段(635nm—1550nm),性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、部分國(guó)際領(lǐng)先水平,替代進(jìn)口高端激光芯片;②封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS(Chip on Submount)、TO/SF等;③表征測(cè)試設(shè)備種類齊全、自動(dòng)化程度高,包括Bar條綜合性能測(cè)試機(jī)、Full-bar 綜合性能測(cè)試機(jī)、全自動(dòng)COS綜合性能測(cè)試機(jī)、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測(cè)試機(jī)、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測(cè)試機(jī)等。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)、醫(yī)療美容、工業(yè)加工、激光顯示、科研等領(lǐng)域。瑞波光電的發(fā)展遠(yuǎn)景是成為世界一流的半導(dǎo)體激光芯片解決方案供應(yīng)商,使命是“激光創(chuàng)造美好生活 用芯成就無(wú)限可能”。
更多信息請(qǐng)登錄瑞波官網(wǎng):http://www.raybowlaser.com/
新聞來(lái)源:訊石光通訊網(wǎng)
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