硅光芯片中的奇特材料——二氧化硅（SiO2）

  ICC訊 二氧化硅(SiO2)是一種奇特的材料，在半導(dǎo)體芯片的制程中，可以作為電介質(zhì)材料隔離金屬與金屬或晶體管與晶體管，也可以作為阻擋材料保護(hù)特定區(qū)域不被摻雜和離子注入，某些場景下也可作為刻蝕阻擋層來提高刻蝕反應(yīng)的選擇性。

  在光電領(lǐng)域，絕緣體上硅(Silicon on insulator，SOI)中的BOX(buried oxide)層可以很好地吸收遮斷SWIR(short wave infrared)，可以用作高信噪比的紅外傳感器襯底材料，在硅光芯片中也有非常廣闊的應(yīng)用場景。在今天的晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域，一定厚度的SiO2也能與Si，SiO2以及SiN等材料形成良好的界面，提供強(qiáng)大的機(jī)械支撐性能。

  SiO2還具有很好的聲學(xué)性能，同樣是基于SOI的材料兼顧了性能與成本屬性，相比砷化鎵(GaAs)和藍(lán)寶石上硅(Silicon on Saphire，SOS)更勝一籌，逐漸贏得了市場，在射頻芯片和物聯(lián)網(wǎng)中得到了廣泛應(yīng)用。

  二氧化硅納米顆粒是應(yīng)用廣泛的無機(jī)納米材料，由于性能優(yōu)異所以成為了產(chǎn)量最大的工程化納米材料之一。隨著表面改性研究的深入，使得二氧化硅的使用不再局限于傳統(tǒng)材料、化工等領(lǐng)域，其在催化、光催化及生物醫(yī)藥等新領(lǐng)域的應(yīng)用也存在良好的前景。