ICC訊 內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后,廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化,都被稱為10nm級內(nèi)存,但有更細(xì)節(jié)的劃分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。
在1α,1β,1γ這三代中,三星在1α上就開始用EUV光刻工藝,但是代價(jià)就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝,避免了昂貴的光刻機(jī)。
不使用EUV光刻,美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝,實(shí)現(xiàn)了35%的存儲密度提升,同時(shí)省電15%。
1β之后還有1γ工藝,估計(jì)會(huì)是12nm級別,制造難度更大,但美光依然沒有明確是否使用EUV光刻機(jī)。而如今的1β內(nèi)存,工藝水平相當(dāng)于13nm。
新聞來源:中關(guān)村在線
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