英特爾研究院宣布其集成光電研究取得重大進(jìn)展,這是提高數(shù)據(jù)中心內(nèi)和跨數(shù)據(jù)中心計(jì)算芯片互聯(lián)帶寬的下一個(gè)前沿領(lǐng)域。這一最新研究在多波長(zhǎng)集成光學(xué)領(lǐng)域取得了業(yè)界領(lǐng)先的進(jìn)展,展示了完全集成在硅晶圓上的八波長(zhǎng)分布式反饋(DFB)激光器陣列,輸出功率均勻性達(dá)到+/- 0.25分貝(dB),波長(zhǎng)間隔均勻性到達(dá)±6.5%,均優(yōu)于行業(yè)規(guī)范。
英特爾研究院資深首席工程師榮海生表示,這項(xiàng)新的研究表明,均勻密集的波長(zhǎng)和良好適配的輸出功率是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)的,最重要的是,能夠利用英特爾晶圓廠現(xiàn)有的生產(chǎn)和制程控制技術(shù)做到這一點(diǎn)。因此,它為下一代光電共封裝和光互連器件的量產(chǎn)提供了一條清晰的路徑。
利用這一新進(jìn)展生產(chǎn)的光源將具備未來(lái)大規(guī)模應(yīng)用所需的性能,如可用于那些處理AI和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興網(wǎng)絡(luò)密集型工作負(fù)載的光電共封裝和光互連器件。這一激光器陣列基于英特爾300毫米硅光子制程制造,為量產(chǎn)和廣泛部署鋪平了道路。
據(jù)Gartner預(yù)測(cè),到2025年,超過(guò)20%的數(shù)據(jù)中心高帶寬通道將使用硅光子,而在2020年這一比例還不到5%。此外,硅光子潛在市場(chǎng)的規(guī)模也達(dá)到了26億美元。對(duì)低功耗、高帶寬和快速的數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨髱?lái)了硅光子需求的同步增長(zhǎng),以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心應(yīng)用和其它方面。
光連接在20世紀(jì)80年代開(kāi)始取代銅線,是因?yàn)楣饫w中固有的高帶寬光傳輸優(yōu)于通過(guò)金屬線纜傳輸?shù)碾娒}沖。從那時(shí)起,由于組件尺寸和成本的降低,光纖技術(shù)變得更加高效,促成了過(guò)去幾年里光互連網(wǎng)絡(luò)解決方案的突破性進(jìn)展,這些進(jìn)展通常用于交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心和其他高性能計(jì)算環(huán)境。
隨著電氣互連性能逐漸接近實(shí)際極限,將硅電路和光學(xué)器件并排集成在同一封裝上,有望在未來(lái)提高輸入/輸出(I/O)接口的能源效率,延長(zhǎng)其傳輸距離。這些光子技術(shù)是在英特爾晶圓廠中使用現(xiàn)有制程技術(shù)實(shí)現(xiàn)的,這意味著在實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)后,其成本將會(huì)降低。
最新的光電共封裝解決方案使用了密集波分復(fù)用(DWDM)技術(shù),展現(xiàn)了在增加帶寬的同時(shí)顯著縮小光子芯片尺寸的前景。然而,截止到目前,要制造具有均勻波長(zhǎng)間隔和功率的密集波分復(fù)用光源還非常困難。
英特爾的這一新進(jìn)展則確保了光源在保持波長(zhǎng)分隔一致性的同時(shí)有均勻的輸出功率,滿足了光計(jì)算互聯(lián)和密集波分復(fù)用通信的需求。使用光互連的下一代輸入/輸出接口可針對(duì)未來(lái)AI和機(jī)器學(xué)習(xí)工作負(fù)載的極高帶寬需求進(jìn)行定制。
8個(gè)微環(huán)調(diào)制器和光波導(dǎo)。每個(gè)微環(huán)調(diào)制器都被調(diào)節(jié)到特定的波長(zhǎng)(或者說(shuō)“光色”)。
利用多波長(zhǎng),每個(gè)微環(huán)都可單獨(dú)調(diào)制光波,以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立通信。這種使用多個(gè)波長(zhǎng)的方法就叫做波分復(fù)用。
八波長(zhǎng)分布式反饋激光器陣列是在英特爾的商用300 mm混合硅光子平臺(tái)設(shè)計(jì)和制造的,這一平臺(tái)被用于量產(chǎn)光收發(fā)器?;谂c制造300 mm硅晶圓相同的,嚴(yán)格制程控制下的光刻技術(shù),此項(xiàng)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了大型CMOS晶圓廠激光器制造能力的重大飛躍。
通道III-V族/硅混合分布式反饋激光器陣列。通過(guò)實(shí)現(xiàn)匹配功率和均勻波長(zhǎng)間隔,這一創(chuàng)新標(biāo)志著大型晶圓廠量產(chǎn)多波長(zhǎng)激光器能力的重大飛躍。
8通道III-V族/硅混合分布式反饋激光器陣列。
通過(guò)實(shí)現(xiàn)匹配功率和均勻波長(zhǎng)間隔,這一創(chuàng)新標(biāo)志著大型晶圓廠量產(chǎn)多波長(zhǎng)激光器能力的重大飛躍。
在這項(xiàng)研究中,英特爾使用了先進(jìn)的光刻技術(shù),以在III-V族晶圓鍵合制程前完成硅片中波導(dǎo)光柵的配置。與在三或四英寸III-V族晶圓廠制造的普通半導(dǎo)體激光器相比,這項(xiàng)技術(shù)提高了波長(zhǎng)均勻性。此外,由于激光器的高密度集成,陣列在環(huán)境溫度改變時(shí)也能保持通道間距的穩(wěn)定。
未來(lái),作為硅光子技術(shù)的先鋒,英特爾將繼續(xù)致力于研究各類(lèi)解決方案,以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)效率更高、功能更全面的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的需求。目前,英特爾正在開(kāi)發(fā)的集成光電關(guān)鍵構(gòu)建模塊包括光的產(chǎn)生、放大、檢測(cè)、調(diào)制、CMOS接口電路和封裝集成。
此外,八波長(zhǎng)集成激光器陣列制造技術(shù)的許多方面正被英特爾的硅光子產(chǎn)品部門(mén)(Silicon Photonics Products Division)用于打造未來(lái)的光互連芯粒。這一即將推出的產(chǎn)品將在包括CPU、GPU和內(nèi)存在內(nèi)的各種計(jì)算資源之間,實(shí)現(xiàn)低功耗、高性能、太比特每秒(multi-terabits per second)的互連。對(duì)實(shí)現(xiàn)光互連芯粒的大規(guī)模制造和部署而言,集成激光器陣列是縮小體積、降低成本的關(guān)鍵。
新聞來(lái)源:知IN
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