2005年英特爾宣布成功研發(fā)出硅光子技術(shù)時,該成果被視為IT產(chǎn)業(yè)重要的一項發(fā)展。然而正是在當(dāng)年,英特爾宣布出售其光電網(wǎng)絡(luò)組件事業(yè),并進(jìn)行一系列改組?!度A爾街日報》當(dāng)時對此的評價是:這不代表英特爾過去在光電、網(wǎng)絡(luò)通訊方面近百億美元的投資沒有重大成果,相反,英特爾在硅光子技術(shù)的研究一直處于業(yè)界領(lǐng)先位置,并且碩果累累。
英特爾在OFC2008上宣布研制出硅鍺(Si-Ge))光電探測器,采用計算機(jī)芯片領(lǐng)域常用的大規(guī)模集成電路CMOS的制造技術(shù)和工藝,該產(chǎn)品可以將光信號轉(zhuǎn)變成電信號,性能可以與當(dāng)今市場上主流的40G光電探測器相媲美。目前應(yīng)用到光網(wǎng)絡(luò)里的絕大多數(shù)光電探測器都是基于GsAs和InP等化合物半導(dǎo)體材料,這些材料相對硅材料而言數(shù)量少,價格高,硅基探測器的問世對通信設(shè)備商而言可以充分利用硅芯片的優(yōu)勢,生產(chǎn)出更富效率和更低成本的數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備來。
英特爾的新型高帶寬光電探測器對1550nm光信號具有極其出色的靈敏度,該產(chǎn)品可以說是業(yè)內(nèi)在25年內(nèi)研制商用Si-Ge技術(shù)的重大研制成果,解決了Ge層和Si層之間暗電流(dark current)這一困擾業(yè)界多年的技術(shù)難題。暗電流在英特爾的新型探測器中幾乎可以忽略不計,僅僅有幾百個毫微安,相當(dāng)與十億分之一安培。
英特爾在硅光子技術(shù)最新成果是在2008年12月,當(dāng)時英特爾在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱,公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管(APD)的性能世界紀(jì)錄,頻率高達(dá)340GHz。
實際上,英特爾自2005年以來陸續(xù)發(fā)布了硅基激光器,硅基調(diào)制器和硅基探測器等許多硅光子核心元件,英特爾硅光子技術(shù)實驗室主管馬里奧•潘尼西亞說,目前這項研究工作已經(jīng)接近尾聲,剩下來要解決的難題是如何集成封裝。英特爾公布的硅光子技術(shù)商業(yè)化時間表是2010年前。
除了英特爾,Luxtera則是另外一家致力于發(fā)展硅光子技術(shù)的領(lǐng)先廠商,該公司在2005年就推出采用CMOS工藝的硅高速調(diào)制器,在2007年3月,Luxtera宣布在業(yè)界首次推出基于標(biāo)準(zhǔn)SOI-CMOS工藝,通過摻雜純鍺元素,制成長波長集成光探測器。這一技術(shù)突破大大領(lǐng)先于市場,將為單片集成光器件的發(fā)展帶來新的突破。不過在此之后Luxtera在這方面的研究就很少有報道了,有消息指出Luxtera可能迫于生存壓力轉(zhuǎn)行做其他產(chǎn)品,在今年的 OFC/NFOEC 2009上Luxtera發(fā)布了世界上最大的有源光纜,或許是一個說明。
而在OFC/NFOEC 2009展會上,業(yè)界新秀——NANO科技公司的研發(fā)工程師王曉欣博士在技術(shù)會議上口頭報告了公司最新研制的新型的高性能10 Gb/s鍺/硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD),該報告在大會的"光電器件簡要介紹"中被列為熱門話題之一。
NANO科技是繼英特爾﹑Luxtera之后第三家具有此項技術(shù)的公司,其核心技術(shù)已經(jīng)申請專利保護(hù)。目前NANO科技的10 Gb/s鍺/硅雪崩光電探測器性能可與傳統(tǒng)的III-V族雪崩光電探測器產(chǎn)品相比,部分性能甚至優(yōu)越于III-V族的同類產(chǎn)品,如帶寬-增益積高(> 200 Gb)﹑擊穿電壓低(27 V)﹑擊穿電壓溫度系數(shù)低(<0.014 V/°C)﹑過剩噪聲因子低。值得重視的是NANO科技的Ge/Si APD是在8英寸CMOS線上生產(chǎn)的,整個生產(chǎn)工藝與標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程完全兼容,易于以后與TIA等后續(xù)電路實現(xiàn)單片集成。
通過器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化和生產(chǎn)工藝的完善,NANO科技的10 Gb/s 鍺/硅雪崩光電探測器性能有很大的改善余地。據(jù)悉,NANO科技計劃近期將新型的10 Gb/s鍺/硅雪崩光電探測器產(chǎn)品推向市場。
從本屆OFC/NFOEC 2009展會我們注意到英特爾﹑Luxtera并沒有展示與硅光子集成相關(guān)的最新成果,不過有理由相信,相關(guān)的研制工作仍在積極進(jìn)行,或許英特爾正在忙于后期的集成封裝工藝的研制,這是難點也是重點,我們希望在2010年的OFC/NFOEC 能看到最新的研制成果,也希望這種技術(shù)早日進(jìn)入正式商用。
新聞來源:光電新聞網(wǎng)