華興激光獲4000萬元投資 外延材料國產化需求日增

  ICC訊 據(jù)無錫金投消息，無錫金投的旗下基金——金投領航和金投信安基金完成對江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)4000萬元投資。此次對華興激光項目的投資，是無錫金投旗下基金對半導體光通信領域首單大規(guī)模風險投資。

  據(jù)介紹，華興激光是國內首家專注于化合物半導體光電子外延片研發(fā)和生產的國家高新技術企業(yè)。公司建有包括50余臺套薄膜材料外延(MOCVD)、微納結構加工(全息/電子束光刻)以及晶圓檢測設備在內的先進化合物半導體生產線，掌握完全自主知識產權的2英寸-6英寸砷化鎵(GaAs)基和磷化銦(InP)基半導體激光(LD)和探測(PD)外延片量產技術，其中，1310/1550 nm波段10G/25G DFB LD/PD/APD外延片、808/905/915/980/1064 nm FP/DFB LD外延片等產品性能達到國際先進水平，廣泛應用于5G通信、激光雷達、激光泵浦、激光顯示等領域。

  回到本次投資，無錫金投通過投資華興激光項目，實現(xiàn)對半導體光通信領域的重大股權投資探索，也是對國內頂級科學家團隊在高技術壁壘領域創(chuàng)業(yè)的鼎力支持。投資完成后，無錫金投將通過資源嫁接、資金支持、規(guī)范治理和增值服務等方式，推動華興激光成為國內領先的半導體光通信外延領域標桿公眾公司。

  訊石認為，華興激光正處在光通信市場國產化需求日益高漲的階段，而隨著5G對光通信模塊需求量的釋放，半導體激光器研發(fā)也迫切需求工藝升級。

  華興激光總經理羅帥博士表示，半導體激光器可以先后分為外延工藝、芯片工藝和封裝工藝，華興激光便專注在前道外延工藝(Epi-wafer)上，使用先進的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備，發(fā)揮中科院半導體所在材料外延上的技術積累，為激光器芯片做好前道工序服務，而材料外延也是光芯片制備工藝的核心環(huán)節(jié)，其晶格質量直接決定光芯片的工作性能。

華興激光總經理 羅帥博士

  在外延、芯片、器件/模塊、系統(tǒng)到運營商的光通信產業(yè)鏈中，國外獨立的外延產業(yè)及垂直一體化已相對完善，而國內外延材料產業(yè)尚處于起步階段，材料外延技術儲備主要集中在高校、科研院所，產業(yè)基礎薄弱。隨著5G光通信模塊市場需求增長，芯片、器件廠商對成本的控制更加迫切，國內化合物半導體III-V族磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延材料開始逐漸被光通信芯片器件廠商重視。同時，一些新興應用領域如激光雷達、3D成像、激光加工等領域的發(fā)展也帶來大量新的外延材料需求，這將給國內外延材料產業(yè)帶來一次崛起的機遇。