iFOC 2023首日 | 光通信半導(dǎo)體芯片專題成功舉辦

  ICC訊 9月4日，第21屆訊石光纖通訊市場暨技術(shù)專題研討會（iFOC 2023）在深圳正式開幕，會議首日共有600多為光電行業(yè)人士參加。在專題論壇《通信半導(dǎo)體芯片、材料》上，來自中科半導(dǎo)體研究所、光梓科技、長瑞光電、鈮奧光電、長光華芯、深圳大學(xué)和訊石咨詢的技術(shù)專家和市場分析師分享行業(yè)報告，講述光通信芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展動態(tài)和未來機(jī)遇。

會議由賽勒科技CEO 甘甫烷博士擔(dān)任主持

  中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李智勇發(fā)表《硅光集成芯片的光源研究進(jìn)展》報告，面向新一代數(shù)據(jù)中心、高性能集成電路等應(yīng)用，超大容量信息技術(shù)的應(yīng)用需求，包括Tbps數(shù)據(jù)帶寬、pJ/bit量級功耗、高密度收發(fā)集成陣列等。行業(yè)迫切需要更高速率、更優(yōu)性能的光互連技術(shù)，光電子材料與器件等方面都需要有持續(xù)的改進(jìn)優(yōu)化和性能提升，硅光集成芯片的新進(jìn)展值得期待。硅光集成芯片的光源方案是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心問題是如何實現(xiàn)高效率、低能耗等先進(jìn)性能，新型技術(shù)原理值得深入探索研究，并加速進(jìn)行開發(fā)驗證。

  光梓科技董事長、CTO姜培教授發(fā)表《硅基光互連電芯片的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化》報告，闡述了硅基光互連電芯片的演進(jìn)，極少基于CMOS工藝的25G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，以及基于BiCMOS工藝的50G & 100G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。光梓科技是我國高速光電集成芯片領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，利用全自主產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，聯(lián)合國際頂級晶圓制造企業(yè)，開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化以CMOS/BiCMOS為基的高速低功耗模擬光電子芯片，為快速增長的云計算大數(shù)據(jù)中心和5G無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)提供在性能、功耗、成本結(jié)構(gòu)上都有極強(qiáng)競爭力的高性能核心電芯片。

  長瑞光電 VCSEL研發(fā)副總向宇發(fā)表《全國產(chǎn) VCSEL 發(fā)展與挑戰(zhàn)》報告，在激光探測、識別及短距離光纖傳輸領(lǐng)域，多模VCSEL芯片扮演著重要的角色。全球云服務(wù)和人工智能的興起，帶動了新一輪大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的建設(shè)，也帶來了高端VCSEL芯片需求量的增長。本報告主要從芯片外延、晶圓制造、芯片測試等方面重點介紹國產(chǎn)VCSEL芯片在規(guī)?；a(chǎn)與客制化服務(wù)上的最近進(jìn)展。

  鈮奧光電董事長蔡鑫倫發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光電子集成技術(shù)與芯片》報告，近年來，薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料平臺受到了廣泛的關(guān)注，相比于傳統(tǒng)體材料鈮酸鋰，薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)可以制作亞微米尺度的光波導(dǎo)，不但提高了器件的集成度，而且大大提高了對光場的限制，增強(qiáng)了光場和鈮酸鋰材料的相互作用，因而可以實現(xiàn)超高電光帶寬、超低的驅(qū)動電壓以及超低光學(xué)損耗，有望在電光調(diào)制器領(lǐng)域掀起一場革命。本報告主要介紹鈮奧光電近年來在薄膜鈮酸鋰光電子器件的若干進(jìn)展。

  長光華芯副總經(jīng)理吳真林發(fā)表《AI 時代高速光芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》報告，AI 時代高速光芯片的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。EML激光器方案將是800G光模塊未來2年的主流方案，EML需求將大幅增加。當(dāng)前100G及以上高速光通信芯片主要依賴進(jìn)口，特別是100G VCSEL多模應(yīng)用。終端方案商的芯片供應(yīng)鏈產(chǎn)能面臨不足的可能性，這將是國產(chǎn)化參與的機(jī)會。

  中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陸丹發(fā)表《磷化銦基單波100G及以上光發(fā)射芯片技術(shù)》報告，在即將規(guī)模化商用的400G以及未來800G光通信系統(tǒng)中，單波100Gbps及以上光發(fā)射技術(shù)將成為主流的技術(shù)方案。目前，基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體器件的單片/混合集成方案與基于硅光器件的混合集成方案均為單波100Gbps光模塊提供了可行的技術(shù)路線。本報告將重點介紹磷化銦（InP）基高速光發(fā)射芯片的技術(shù)進(jìn)展，對InP基電吸收調(diào)制激光器（EML）與直調(diào)激光器（DML）的關(guān)鍵技術(shù)與近期發(fā)展趨勢進(jìn)行總結(jié)梳理。

  此外，訊石咨詢分析師發(fā)表《通信光芯片市場發(fā)展分析與預(yù)測》報告，對光芯片市場競爭格局、市場需求走勢和價格變動進(jìn)行分析和預(yù)測。

  圓桌論壇討論了通信芯片發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)，由新華三光互聯(lián)系統(tǒng)架構(gòu)師王雪主持，中芯光電董事長章雅平、光梓科技CEL 史方，廈門優(yōu)迅市場總監(jiān)魏永益、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陸丹和鈮奧光電董事長蔡鑫倫擔(dān)任論壇嘉賓，就光電子芯片技術(shù)差異、市場需求、國產(chǎn)化機(jī)遇和芯片企業(yè)成長心得進(jìn)行分享。

iFOC 2023《通信半導(dǎo)體芯片、材料》專題會場