ICC訊 臺積電在IEEE國際電子器件會(huì)議(IEDM)的“邏輯的未來”小組上透露,臺積電1.4nm級制造技術(shù)的開發(fā)進(jìn)展順利進(jìn)行。臺積電強(qiáng)調(diào),使用其2nm級制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)SemiAnalysis的Dylan Patel發(fā)布的幻燈片,臺積電的1.4nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)正式命名為A14。目前,臺積電尚未透露計(jì)劃何時(shí)開始A14量產(chǎn)時(shí)程及其規(guī)格,但鑒于N2計(jì)劃于2025年末、N2P計(jì)劃于2026年末,因此可以合理猜測A14會(huì)在此之后2027-2028年間推出。
但目前仍尚不清楚,臺積電是否會(huì)采用垂直堆疊互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管(CEFT)結(jié)構(gòu),或是沿用2nm制程將采用的環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管(GAAFET)。
仍有待觀察的是,臺積電是否會(huì)在2027年至2028年期間為其A14工藝技術(shù)采用高數(shù)值孔徑EUV(High NA EUV)光刻機(jī)。
鑒于彼時(shí)英特爾等將采用并完善數(shù)值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機(jī),芯片代工廠商應(yīng)該更容易地使用它。然而,由于高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)將掩模版尺寸減半,其使用將為芯片設(shè)計(jì)者和芯片制造商帶來一些額外的挑戰(zhàn)。
新聞來源:愛集微