基于硅基混合集成技術(shù)的新一代數(shù)據(jù)中心高速光模塊光子芯片

  隨著全球AIGC產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，國(guó)內(nèi)外IT大廠數(shù)據(jù)中心的建設(shè)如火如荼，通信領(lǐng)域5G、6G網(wǎng)絡(luò)的布局深度也在迅速增加。這一時(shí)代背景下，新一代數(shù)據(jù)中心光模塊的市場(chǎng)需求以及更新迭代速度將大幅提升，這對(duì)光模塊內(nèi)部的核心器件——高速光子集成芯片提出了更高的要求，光子集成芯片將在帶寬、成本、速率、功耗等方面面臨變革與挑戰(zhàn)。

  傳統(tǒng)硅光與EML方案

  硅基光電子技術(shù)是數(shù)據(jù)中心及通信領(lǐng)域大量應(yīng)用的技術(shù)平臺(tái)。傳統(tǒng)的純硅光方案（硅光V1.0）基于其成熟的流片工藝，易于量產(chǎn)且集成度方面有一定的優(yōu)勢(shì)。但由于硅材料本身沒有電光響應(yīng)，硅基調(diào)制原理是基于等離子色散效應(yīng)，調(diào)制帶寬受限（2-3V驅(qū)動(dòng)電壓下的上限30GHz對(duì)應(yīng)PAM4單波100Gbps），因此基于硅和硅基襯底，多材料體系的各類混合集成（硅光V2.0）平臺(tái)已成為熱點(diǎn)技術(shù)。

  近期國(guó)內(nèi)主流學(xué)術(shù)期刊指出，目前可用作光子集成平臺(tái)的材料很多，諸如硅（Si）、薄膜鈮酸鋰（TFLN）、氮化硅（Si3N4）、磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs）等是當(dāng)下集成光子學(xué)研究的熱門材料，在這些材料平臺(tái)上人們?nèi)〉昧司薮蟮耐黄坪瓦M(jìn)展。需要指出的是，目前還沒有一種完美平臺(tái)材料可以實(shí)現(xiàn)高效的片上光產(chǎn)生、傳輸、操控和探測(cè)等各項(xiàng)需求，這也是科研界的普遍共識(shí)之一。因此，混合集成和異質(zhì)集成被認(rèn)為是當(dāng)下解決全光集成器件或芯片的必由之路。

  薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料，近年來受到了廣泛的關(guān)注，其本身具有的高電光系數(shù)、大帶寬、高功率、高穩(wěn)定性、低驅(qū)壓、低損耗等優(yōu)異特性，可實(shí)現(xiàn)超快電光響應(yīng)和高集成度光波導(dǎo)。隨著刻蝕工藝的突破，基于CMOS工藝所制備的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器可以很好的發(fā)揮其高速調(diào)制的特性，能夠滿足PAM4單波200Gbps甚至單波400Gbps的速率要求。

  由于技術(shù)成熟度相對(duì)較高和供應(yīng)鏈更加成熟，基于III-V 族半導(dǎo)體的EML方案仍是目前400G光模塊的主流解決方案。但在數(shù)據(jù)中心800G甚至更高速率的需求下，傳統(tǒng)EML方案雖然在調(diào)制速率上可以滿足單波200Gbps速率的要求，但其成本較高且工藝復(fù)雜，產(chǎn)品良率并不樂觀，這都限制了EML方案在數(shù)據(jù)中心高速光模塊上的應(yīng)用。同時(shí)單波100Gbps的EML供應(yīng)商全部是海外廠商（美國(guó)和日本為主）。而相比于傳統(tǒng)硅光平臺(tái)（硅光V1.0），薄膜鈮酸鋰晶圓級(jí)刻蝕工藝目前尚不成熟，器件尺寸也不具備優(yōu)勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前的市場(chǎng)需求及技術(shù)瓶頸，易纜微基于硅基混合集成技術(shù)（硅光V2.0）平臺(tái)開發(fā)了高速混合集成光子芯片。該技術(shù)平臺(tái)作為硅光V2.0平臺(tái)，以成熟的硅光工藝制備硅基無源光器件，通過混合集成技術(shù)鍵合薄膜鈮酸鋰，并以薄膜鈮酸鋰高速調(diào)制的特性解決純硅光平臺(tái)調(diào)制速率的問題，相比于純硅光（硅光V1.0）或純薄膜鈮酸鋰晶圓平臺(tái)，易纜微混合集成技術(shù)（硅光V2.0）平臺(tái)充分發(fā)揮了硅光無源及鈮酸鋰有源調(diào)制方面的優(yōu)勢(shì)，將硅與鈮酸鋰這兩種材料完美結(jié)合。

  易纜微硅基混合集成技術(shù)平臺(tái)

  易纜微基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅基混合集成技術(shù)（硅光V2.0）平臺(tái)，成功設(shè)計(jì)并制備了數(shù)據(jù)中心高速光模塊光引擎芯片。在芯片調(diào)制區(qū)域，輸入光源從硅基波導(dǎo)層耦合至薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)層，經(jīng)薄膜鈮酸鋰MZ調(diào)制器實(shí)現(xiàn)光調(diào)制后，再次耦合回硅基波導(dǎo)層至光輸出。

易纜微硅基混合集成技術(shù)平臺(tái)

  在這一技術(shù)方案中，硅基波導(dǎo)與鈮酸鋰波導(dǎo)的高效耦合保證了芯片的低插損。經(jīng)設(shè)計(jì)優(yōu)化后，硅基/鈮酸鋰波導(dǎo)垂直耦合單次插損實(shí)測(cè)低于0.2dB。薄膜鈮酸鋰MZ調(diào)制器用于實(shí)現(xiàn)高速光信號(hào)調(diào)制，經(jīng)光學(xué)及行波電極設(shè)計(jì)，調(diào)制器可以實(shí)現(xiàn)大于67GHz的電光調(diào)制帶寬，可支持單波200Gbps高速信號(hào)調(diào)制。

硅基/鈮酸鋰混合集成電光響應(yīng)測(cè)試

LN/SiN異質(zhì)集成MZM芯片結(jié)構(gòu)示意圖

  研發(fā)設(shè)計(jì)

  除了實(shí)現(xiàn)芯片高帶寬的性能需求，易纜微在芯片的低驅(qū)壓及小尺寸等方面研究工作也取得了很大的進(jìn)展。常規(guī)薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的尺寸較長(zhǎng)，其半波電壓長(zhǎng)度乘積（Vπ·L）通常在2~3 V·cm左右，對(duì)應(yīng)于2.4V的半波電壓，調(diào)制器的長(zhǎng)度通常在10mm左右，這會(huì)導(dǎo)致芯片尺寸過大（長(zhǎng)邊超過10mm）。易纜微設(shè)計(jì)的通過彎曲折疊調(diào)制器的方式，可有效縮短調(diào)制器的尺寸長(zhǎng)度，能夠?qū)⒄{(diào)制器的長(zhǎng)度縮短至4mm以下，完全可以達(dá)到傳統(tǒng)硅光調(diào)制器芯片的長(zhǎng)度尺寸，可匹配現(xiàn)有的光模塊規(guī)格完成封裝。

  電光調(diào)制器的調(diào)制效率通常用Vπ·L來評(píng)估，此數(shù)值越低表明調(diào)制效率越高。對(duì)應(yīng)特定值的Vπ·L，調(diào)制區(qū)的長(zhǎng)度和半波電壓理論上會(huì)相互制約，即低驅(qū)壓和小尺寸難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)。為了同時(shí)使薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器達(dá)成低驅(qū)壓和小尺寸，易纜微通過在電極和鈮酸鋰平板層間增加緩沖層以降低金屬電極的吸收損耗，并通過光學(xué)參數(shù)優(yōu)化降低Vπ·L的值。經(jīng)過這一設(shè)計(jì)優(yōu)化，硅基/薄膜鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器的Vπ·L可由2 V·cm以上降低至1.2 V·cm,極大緩解了低驅(qū)壓和小尺寸之間的限制。

  易纜微在硅基混合集成技術(shù)（硅光V2.0）平臺(tái)上擁有完全自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)并制備客訂化的混合集成光子芯片。面對(duì)光通信行業(yè)的市場(chǎng)需求，易纜微將會(huì)持續(xù)發(fā)布多類規(guī)格速率的混合集成光子芯片產(chǎn)品，包括400G/800G/1.6T DR-4(8)光子芯片，400G/800G/1.6T FR-4(8)光子芯片等產(chǎn)品。同時(shí)，為應(yīng)對(duì)未來光通信市場(chǎng)更高的帶寬速率需求，易纜微將持續(xù)投入研發(fā)更高速率的光子芯片產(chǎn)品，在最新設(shè)計(jì)的硅基混合集成光芯片中，其電光調(diào)制帶寬已仿真結(jié)果超過130GHz，這一方案可以支持未來單波400Gbps光模塊3.2T的產(chǎn)品需求。

易纜微單波400G光芯片電光響應(yīng)

  適配LPO光模塊的硅基混合集成光芯片

  隨著AI算力對(duì)400G/800G光模塊需求的增加，成本優(yōu)勢(shì)突出且可滿足AI算力短距離、大寬帶、低延時(shí)的LPO（Linear-drive Pluggable Optics）光模塊方案逐漸成為市場(chǎng)熱門選擇。LPO技術(shù)采用了線性直驅(qū)的方式，對(duì)于目前市場(chǎng)所需的單波200Gbps LPO光模塊，其模塊鏈路中對(duì)所有元件的線性度要求高，尤其是電光調(diào)制器。在已報(bào)道的工作中，通常使用交調(diào)信號(hào)的SFDR來評(píng)估調(diào)制器的線性度。傳統(tǒng)的純硅調(diào)制器SFDR為97dB·Hz2/3，而薄膜鈮酸鋰調(diào)制器可達(dá)到120dB·Hz2/3。EML方案的線性度相比于純硅和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器方案則更低?；诒∧も壦徜囌{(diào)制器高線性度和高帶寬的特性，易纜微設(shè)計(jì)和制備了用于單波200Gbps的LPO光模塊的硅基混合集成光芯片，目前這一產(chǎn)品正在與部分客戶開展項(xiàng)目合作測(cè)試。