ICC訊(編譯:Nina)在ECOC2023上,來自比利時根特大學(xué)imec研究小組IDLab的一組研究人員展示了一種實現(xiàn)200Gbps總數(shù)據(jù)速率的光接收器。他們的方法結(jié)合了SiGe BiCMOS行波電子集成電路和硅光子鍺光電探測器,不僅提供了速度,而且提供了可擴展性,這是想要滿足爆炸式數(shù)據(jù)速率需求的兩個先決條件。
對速度的需求
從人工智能到云計算和5G,數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用正在進入不同的行業(yè)和我們?nèi)粘I畹脑S多方面。為了跟上今天特別是未來的數(shù)據(jù)處理需求,數(shù)據(jù)中心將需要以越來越高的速度運行的光通信網(wǎng)絡(luò)。
imec IDLab高速收發(fā)器項目經(jīng)理、根特大學(xué)教授Peter Ossieur表示:“目前,最高性能的光數(shù)據(jù)通信收發(fā)器的運行速度高達800Gbps,例如使用8x100Gbps的通道,但該領(lǐng)域正在設(shè)想將通道容量翻倍至200Gbps,以降低收發(fā)器的復(fù)雜性、成本和功耗,同時提高制造產(chǎn)量?!?
快速且可擴展
Ossiuer是一個致力于為光子學(xué)應(yīng)用開發(fā)高速集成電路的研究團隊。他的團隊現(xiàn)在通過將行波SiGe-BiCMOS跨阻放大器與硅光子Ge光電探測器共同集成,實現(xiàn)了200Gbps的總數(shù)據(jù)速率。
除了速度之外,主流SiGe BiCMOS的使用使該技術(shù)更具可擴展性,因此價格實惠。Ossieur表示:“達到這種速度的另一種選擇是InP電子產(chǎn)品,這是一種更昂貴、更難以擴展的技術(shù)。SiGe BiCMOS使我們能夠集成更多的功能,并且芯片也可以大批量生產(chǎn)?!?
下一代
如果光收發(fā)器要跟上爆炸式的數(shù)據(jù)速率,所有的構(gòu)建模塊都需要處理更高的速度。該團隊在imec集成硅光子學(xué)平臺(iSiPP)的硅光子學(xué)Ge光電探測器的設(shè)置中展示了他們的結(jié)果,目標市場是電信、數(shù)據(jù)通信和醫(yī)療診斷行業(yè)。
imec的光學(xué)I/O研究員兼項目主管Joris Van Campenhout表示:“新的光接收器代表了imec為滿足200Gbps及以上應(yīng)用需求而準備的硅光子平臺的眾多步驟之一:這一結(jié)果是imec硅光子學(xué)平臺(iSiPP)在200Gbps通道速率下運行能力的又一個數(shù)據(jù)點,這是即將到來的可插拔和共封裝光學(xué)器件的關(guān)鍵要求?!?
這項工作得到了歐盟地平線2020項目(Horizon 2020)POETICS (No . 871769)和NEBULA (No . 871658)的支持。
新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)
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