【北美】飛思卡爾利用硅技術(shù)開發(fā)3.5GHz頻帶WiMAX基站功率放大器

美國飛思卡爾半導(dǎo)體公司已開發(fā)出使用3.5GHz頻帶、面向WiMAX基站的功率放大器。該產(chǎn)品是利用半導(dǎo)體工藝技術(shù)以及該公司作為封裝技術(shù)的第7代高電壓（YV7）RF LDMOS（laterally diffused metal oxide semiconductor，橫向擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體）技術(shù)實(shí)現(xiàn)的?；贚DMOS晶體管的WiMAX基站用功率放大器在業(yè)界尚屬首例。該公司還針對極有可能為移動(dòng)WiMAX（IEEE802.16e）等分配2.5GHz頻帶的日本，正在開發(fā)采用LDMOS晶體管的芯片組，據(jù)稱將在2006年早些時(shí)候供應(yīng)樣品。

該公司此次開發(fā)的是預(yù)計(jì)將用于固定通信WiMAX（IEEE802.16-2004）和歐洲移動(dòng)WiMAX等的3.5GHz頻帶（3.3GHz～3.8GHz）RF功率晶體管“MRF7S38075H”。平均輸出為42dBm（16W），作為線性極限點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)的“P1dB（1dB compression point）”為70W。將與相同頻率、P1dB為40W和10W的產(chǎn)品同時(shí)于2006年第1季度開始供貨。

飛思卡爾的LDMOS晶體管在采用2GHz頻帶無線頻率的第3代移動(dòng)電話（3G）基站中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。但在WiMAX方面過去則一直使用采用GaAs的PHEMT（pseudomorphic HEMT）型晶體管。原因是采用比3G更高的無線頻率以及在傳輸方式中采用OFDM的WiMAX要求功率放大器要具有很高的線性及分辨率等特性?！斑^去的LDMOS達(dá)不到這些要求”（飛思卡爾）。此次該公司將LDMOS工藝由第6代提高到了第7代，從而就能在3.8GHz頻帶的WiMAX中使用。

該公司針對日本市場已經(jīng)利用LDMOS技術(shù)開發(fā)出支持2.5GHz頻帶的功率放大器。據(jù)稱將于2006年上半年供應(yīng)平均功率為35W、20W、7W及3W的各種產(chǎn)品樣品。（來源：技術(shù)在線 記者：野野 哲生）