ICCSZ訊 最新消息,2018年7月,長光華芯順利完成1.5億元B輪融資,本輪融資的投資方為:國投創(chuàng)業(yè)、中科院創(chuàng)投、蘇州橙芯創(chuàng)投。
長光華芯自2012年成立以來一直致力于高功率半導體激光器芯片及相關(guān)光電器件和應(yīng)用系統(tǒng)的研發(fā)生產(chǎn)和銷售,擁有從芯片設(shè)計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合、激光系統(tǒng)等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線,是全球少數(shù)幾家、國內(nèi)唯一一家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導體激光器芯片的公司,長光華芯在高功率半導體激光器芯片方面率先打破長期依賴進口“有器無芯”的局面。
本輪融資將主要圍繞長光華芯主營業(yè)務(wù)戰(zhàn)略建設(shè)如下項目:
高功率半導體激光芯片和模塊產(chǎn)能提升5-10倍;
VCSEL激光雷達芯片研發(fā)及量產(chǎn);
直接半導體激光器量產(chǎn)及應(yīng)用。
加之2018年3月公司與高新區(qū)簽署協(xié)議共建半導體激光創(chuàng)新研究院,建設(shè)領(lǐng)先的半導體激光研發(fā)平臺,至本輪融資順利完成,長光華芯的“一平臺,一支點,橫向擴展,縱向延伸”戰(zhàn)略布局全部完成。
高功率半導體激光芯片和模塊產(chǎn)能擴充項目
長光華芯已攻克包含外延生長技術(shù)、腔面鈍化技術(shù)、器件制作和高能合束耦合等方面的多個技術(shù)難題,公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品,在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破,獲多項專利,與國際一流水平同步。
長光華芯激光芯片
長光華芯自主研發(fā)的高功率915nm激光芯片,發(fā)光區(qū)寬度為90μm,轉(zhuǎn)換效率高達65%,芯片輸出功率等指標與國際一流水平同步,具有轉(zhuǎn)換效率高,長壽命等特點,現(xiàn)已累計銷售芯片超過200萬片,是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導體激光器芯片的公司。
長光華芯光纖耦合模塊
長光華芯915nm模塊和976nm模塊采用自主研發(fā)的高可靠性激光芯片,具有光譜質(zhì)量好,波長隨溫度漂移范圍可控的特點,其中976nm模塊光纖激光器光光轉(zhuǎn)換效率可達85%,大幅節(jié)省有源光纖,方案經(jīng)過批量驗證,應(yīng)用于高功率光纖激光器已無技術(shù)障礙,是高功率光纖激光器理想泵浦源。
目前長光華芯產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:工業(yè)激光器泵浦、激光先進制造裝備、生物醫(yī)學美容、高速光通信、機器視覺與傳感、國防建設(shè)等。產(chǎn)品經(jīng)多年經(jīng)營已獲得客戶認可,915nm芯片、915nm模塊、976nm模塊等更是引領(lǐng)了市場方向,隨著產(chǎn)品在市場上得到越來越多的認可和肯定,長光華芯客戶需求和訂單持續(xù)處于急速上升趨勢,通過本輪融資,長光華芯將對高功率激光芯片及光纖耦合模塊進行產(chǎn)能擴充,將產(chǎn)能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升5-10倍,形成長光華芯發(fā)展的一個強有力的“支點”,以滿足客戶需求。
VCSEL激光雷達芯片研發(fā)和量產(chǎn)項目
媒體在長光華芯展臺介紹VCSEL芯片
2018年2月,長光華芯成立了VCSEL事業(yè)部,“橫向擴展”,先后引進多位行業(yè)資深專家,組建專業(yè)研發(fā)團隊,開設(shè)6’晶圓生產(chǎn)線,增加MOCVD晶圓生長爐、步進光刻機等量產(chǎn)設(shè)備,加緊研發(fā)項目和量產(chǎn)產(chǎn)線布局,以應(yīng)對消費和工業(yè)市場呈爆發(fā)式增長的需求,緩解我國VCSEL激光器芯片的緊缺問題。基于公司成熟的高功率半導體激光器芯片量產(chǎn)平臺,公司在開展VCSEL芯片的研發(fā)工作時進展迅速,在短短不到6個月的時間里就已經(jīng)攻克了材料外延生產(chǎn)的精確控制、穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題。目前長光華芯的VCSEL芯片已通過小批量試產(chǎn),進入送樣和客戶驗證階段。
直接半導體激光器量產(chǎn)及應(yīng)用項目
長光華芯是國內(nèi)最早立項,并量產(chǎn)和銷售直接半導體激光系統(tǒng)的公司之一,自2012年以來,長光華芯通過承擔國家項目和多家工業(yè)客戶的驗證,已經(jīng)打造了直接半導體激光系統(tǒng)品牌,2018年5月,公司專項成立了激光系統(tǒng)事業(yè)部,“縱向延伸”,事業(yè)部的成立旨在為工業(yè)激光材料加工領(lǐng)域提供具有技術(shù)優(yōu)勢、高性價比的產(chǎn)品解決方案,推進國內(nèi)直接半導體激光器工業(yè)應(yīng)用進程。今年10月,長光華芯將攜新一代直接半導體激光器系列產(chǎn)品亮相深圳“華南國際先進電子、智能制造及激光技術(shù)博覽會”。
長光華芯與蘇州高新區(qū)共建半導體激光創(chuàng)新研究院
半導體激光創(chuàng)新研究院簽約儀式
2018年3月,蘇州高新區(qū)政府與長光華芯在上海簽署協(xié)議,宣布雙方在蘇州高新區(qū)共建半導體激光創(chuàng)新研究院,總投資5億元,建設(shè)國內(nèi)一流的半導體激光芯片研發(fā)平臺,充分利用長光華芯已有的高功率半導體激光芯片優(yōu)勢,并拓展激光3D傳感芯片(含VCSEL),高速光通信芯片,激光照明,激光顯示等方向和領(lǐng)域。
半導體激光創(chuàng)新研究院效果圖
半導體激光創(chuàng)新研究院包含研發(fā)大樓、辦公大樓、生產(chǎn)工藝大樓等設(shè)施,總占地面積將近五萬平方米,目前研究院已動工建設(shè),預計將在2019年投入使用。研究院的建設(shè),將大大提升公司的研發(fā)能力和可持續(xù)發(fā)展能力,同時也為公司在高速發(fā)展時期擴產(chǎn)等需求提供了更大的物理空間。
投資方簡介
國投創(chuàng)業(yè)
國投創(chuàng)業(yè)成立于1995年,是國務(wù)院批準設(shè)立的國家投資控股公司和中央直接管理的國有重要骨干企業(yè),是首批國有資本投資公司改革試點企業(yè)。是國家開發(fā)投資公司為落實國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略,加快推動國家科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化,按照市場化方式獨立運營的私募股權(quán)投資基金管理公司。 它的宗旨是服務(wù)國家創(chuàng)新戰(zhàn)略,聚焦科技成果轉(zhuǎn)化。
中科院創(chuàng)投
中科院科技成果轉(zhuǎn)化(母)基金是由中國科學院院長辦公會決策,中科院與科技部聯(lián)合發(fā)文明確提出的一項科技成果轉(zhuǎn)化重點舉措。中國科學院控股有限公司(國科控股)作為基石出資人具體牽頭組建市場化管理公司和團隊。該基金重點投資各領(lǐng)域前沿與關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新成果項目,是中科院總部層面首次發(fā)起設(shè)立的科技成果產(chǎn)業(yè)化投資基金,院部的統(tǒng)籌協(xié)調(diào)、院內(nèi)相關(guān)機構(gòu)的資源支持、地方政府的積極響應(yīng)和支持以及市場化運營管理,為該基金有效實現(xiàn)科技成果轉(zhuǎn)化使命提供了重要基礎(chǔ)和保障。
新聞來源:長光華芯