國(guó)科光芯氮化硅硅光芯片具備低損耗、寬光譜、大光功率等眾多單項(xiàng)優(yōu)勢(shì),已成功發(fā)布了800G DR8, 800G 2×FR4, 1.6T DR8等基于TFLN/SiN異質(zhì)集成技術(shù)的硅光產(chǎn)品。受益于氮化硅技術(shù)對(duì)CMOS流片工藝的強(qiáng)兼容性,公司已具備8英寸低損耗氮化硅量產(chǎn)能力,可保障產(chǎn)品低成本和可量產(chǎn)性,是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多擁有完整工藝量產(chǎn)能力的氮化硅芯片技術(shù)平臺(tái)。