日企減少對華為5G芯片供貨！華為三招組合拳加速國產(chǎn)替代

      ICC訊 7月4日，據(jù)《日經(jīng)新聞》報道稱，日本芯片制造商住友電工將從9 月起為美國5G基站生產(chǎn)半導體。住友電工在美國新澤西州的一家工廠，生產(chǎn)用于 5G 基站的半導體。此前，住友電工將其大部分的5G基站半導體銷售給中國華為公司。

  據(jù)筆者查閱，華為基站美國零部件的使用比例達到了27.2%。其中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)為美國萊迪思Lattice和賽靈思Xilinx公司的產(chǎn)品。日本進入供應鏈的企業(yè)有TDK、精工愛普生和住友電工，內(nèi)存芯片則主要來自三星電子。住友電工減少對華為5G基站芯片供應，到底會有怎樣的影響?其他日本企業(yè)是否會跟進?華為做了哪些防御來構(gòu)建未來供應鏈?本文進行了深入分析。

  地緣政治博弈和芯片短缺疊加，住友減少對華為供貨到底有何影響?

  日經(jīng)新聞的資料顯示，全球芯片短缺加劇了供應鏈中斷的擔憂，住友電工是華為公司的一家主要供貨商，90% 產(chǎn)品供應給中國制造商，現(xiàn)在其目標是增加對美國和歐洲客戶的銷售，計劃將其美國業(yè)務的產(chǎn)能提高一倍。早在今年1月份，該公司就謀求更大的客戶名單，擺脫對中國ICT廠商華為的依賴。

  之前，在華為遭遇美國禁令前，華為公司已經(jīng)儲備了可以使用兩年時間的關(guān)鍵芯片，以保護其業(yè)務不受地緣政治的傷害。這些也為他們發(fā)掘中國半導體優(yōu)質(zhì)廠商爭取了寶貴的時間，為有可能建立國產(chǎn)替代的供應鏈贏得時間窗口。

  華為對策一：可以積極與臺灣半導體和國內(nèi)氮化鎵代工廠合作，加強供應問題

  住友電工，主要生產(chǎn)GaAs低噪聲放大器、光收發(fā)器及模塊等，是全球GaN射頻器件第一大供應商，也是華為GaN射頻器件第一大供應商，壟斷全球GaN襯底市場。住友電工還向華為供應光收發(fā)器及模塊，位列華為50大核心供應商之列。

  住友減少供貨華為，可能基于兩方面考慮：一是考慮華為獲取的海外訂單減少，芯片出貨量可能會減緩，減少對單一客戶的依賴;二是住友在美國建廠，擴大客戶來源，住友電工在美國制造的半導體，預計供應給瑞典的愛立信和芬蘭的諾基亞等設備制造商的美國和歐洲部門。

  華為可能的對策：華為自研GaN射頻器件，GaN代工廠就必須跟進。在臺灣地區(qū)有穩(wěn)懋半導體、大陸地區(qū)有廈門三安集成電路和海威華芯等等。

  華為的對策二：建立武漢海思工廠，光通信芯片和模塊供應鏈建設跟上

  6月27日，臺灣Digitimes Asia爆料，華為在武漢建立第一家晶圓廠，計劃將在2022年陸續(xù)投產(chǎn)，初期主要生產(chǎn)光通信芯片和模塊。華為在5G電信設備全球出貨排行第一，目前該公司位于武漢的研究院擁有近萬名研發(fā)人員，主要研發(fā)光通信設備、海思芯片，甚至汽車激光雷達。

  華為武漢工廠的建造，最早這個消息可以追溯到《華為投資控股有限公司2019年度第一期中期票據(jù)募集說明書》，當時公開信息顯示，華為擬建項目中有一個武漢海思工廠，投資18億元。

  武漢海思工廠主要為華為生產(chǎn)自研的磷化銦光通信芯片及模組。資深行業(yè)人士對記者表示，磷化銦材料電學性質(zhì)優(yōu)勢突出，在半導體光電器件處于關(guān)鍵地位。磷化銦(InP)是第二代半導體材料，閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，禁帶寬度為1.34 eV。其以高電子遷移速率、高禁帶寬度、高熱導率在光電芯片襯底材料應用中占據(jù)優(yōu)勢，并且是光模塊半導體激光器和接收器的關(guān)鍵材料。

  作為全球最強的光網(wǎng)絡通信商，華為在光通信領(lǐng)域技術(shù)實力雄厚，2020年2月，華為公司在800G光模塊領(lǐng)域率先取得突破。華為當時在倫敦宣布隆重推出業(yè)界首款800G可調(diào)超高速光模塊，采用自主研發(fā)的oDSP芯片。華為800G光模塊被應用于全系列的華為OptiXtrans光傳送產(chǎn)品中，涵蓋骨干傳輸、城域傳輸、數(shù)據(jù)中心互聯(lián)等多種應用場景，大幅提升光網(wǎng)絡的傳輸性能，進一步降低單比特傳輸成本。

  華為對策三：哈勃投資對本土芯片廠商持續(xù)投資，34家涉及半導體企業(yè)

  6月24日到7月5日，華為旗下哈勃科技先后在半導體賽道再落兩子，前者哈勃科技投資強一半導體(蘇州)有限公司，其公司注冊資本由6594.3萬人民幣增至7316.5萬人民幣。后者，哈勃科技投資東莞市天域半導體科技，后者注冊資本從人民幣9027萬元增加到9770萬元。截至7月6日，華為哈勃科技從成立之初2019年到今天，投資版圖中一共囊括了37家公司，其中涉及半導體相關(guān)的投資就有34家。

  行業(yè)專家認為，中國攻克類似芯片、操作系統(tǒng)、EDA設計軟件、半導體設備等這種被“卡脖子”的技術(shù)，需要長期堅持。半導體有四個關(guān)鍵因素重要：市場、人才、資金和技術(shù)。華為憑借在ICT通信產(chǎn)業(yè)鏈上的領(lǐng)先地位和長期對5G手機、通信市場的深刻洞察，意識到在國產(chǎn)替代當中，必須扶持國內(nèi)相關(guān)元器件廠商的發(fā)展，才能真正實現(xiàn)自主創(chuàng)新，完全去美化。

  以哈勃科技在6月22日投資北京科益虹源光電，5月10日投資深圳云英谷科技，4月16日投資北京晟芯網(wǎng)絡，3月15日投資云道智造，這四家公司分別聚焦光源系統(tǒng)、AMOLED驅(qū)動芯片、芯片IP Core設計和ASIC流片、EDA仿真軟件來看，哈勃科技的聚焦半導體“硬殼“的投資思路依然十分穩(wěn)健。圍繞5G發(fā)展的主潮流，華為哈勃在夯實賽道的基礎能力，在最容易被卡殼的光刻機激光器、驅(qū)動芯片、EDA等設計等底層軟硬件能力持續(xù)儲備。

  7月5日，哈勃科技投資天域半導體，這家公司成立于2009年1月，主營業(yè)務包括研發(fā)、銷售碳化硅磊晶硅晶圓片，半導體材料及零件等，這是中國第一家碳化硅半導體材料供應鏈企業(yè)取得汽車質(zhì)量認證。

  在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通等下游應用快速發(fā)展的帶動下，第三代半導體市場高速增長，而且在未來關(guān)鍵器件中，比如5G通信中，碳化硅器件替代原有器件已經(jīng)成為主流，華為作為通信領(lǐng)域的主流廠商，當然看到這個趨勢，前期，哈勃科技先后投資了第三代半導體材料廠商瀚天天成、山東天岳、鑫耀半導體。

  5月31日，山東天岳也遞交了科創(chuàng)板上市招股書，山東東岳擬募集資金約20億元，用于新建生產(chǎn)廠房、配電和倉儲設施，將主要用于提升碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化能力，進一步鞏固其在寬禁帶半導體材料產(chǎn)品應用領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢與市場領(lǐng)先地位，6月20日，山東天岳先進科創(chuàng)板IPO獲上交所受理。

  華為公司正在加大對本土芯片公司的投資，以填補美國對其芯片供應的封鎖造成的供應空缺，逐步形成自身半導體供應鏈，為未來在5G手機、5G基站、智能汽車領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先產(chǎn)品打造建立很好的基礎。