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中科院半導(dǎo)體所在GaN基大功率紫外激光器領(lǐng)域取得突破

摘要:中科院半導(dǎo)體所研制出氮化鎵(GaN)基大功率紫外激光器,室溫連續(xù)輸出功率2W,電注入激射波長384 nm。

  半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國家重點實驗室趙德剛研究員團(tuán)隊研制出氮化鎵GaN)基大功率紫外激光器,室溫連續(xù)輸出功率2W,電注入激射波長384 nm。這是趙德剛研究員團(tuán)隊在實現(xiàn)波長小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要進(jìn)展。

  GaN紫外激光器由于波長短、光子能量大,在消毒殺菌、病毒檢測、激光加工、紫外固化等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。但由于GaN紫外激光器基于大失配異質(zhì)外延材料技術(shù)制備而成,缺陷多、發(fā)光效率低,器件研制難度大。瓦級大功率紫外激光器一直是國際相關(guān)領(lǐng)域研究的熱點,但關(guān)鍵技術(shù)尚未完全攻克。大功率紫外激光器是國際公認(rèn)的技術(shù)壁壘。

  趙德剛研究員團(tuán)隊長期聚焦于GaN基光電子材料與器件研究,2016年研制出GaN紫外激光器。2021年以來對紫外激光器材料生長機(jī)理和器件物理有了更深入的理解和認(rèn)識,解決了高Al組分AlGaN的p摻雜難題,降低了器件自加熱作用,最終制備室溫連續(xù)工作的大功率紫外激光器。其脊型尺寸15×1200μm,室溫連續(xù)輸出功率2W,激射波長384nm,閾值1.38kA/cm2。圖1為大功率紫外激光器的激射光譜,圖2為紫外激光器的光功率-電流-電壓(P-I-V)曲線。該成果發(fā)表在Optics Letters上 [楊靜、趙德剛等,Optics Letters 47, 1666-1668 (2022) https://doi.org/10.1364/OL.454340],被選為“Editor’s Pick”文章。瓦級大功率紫外激光器的成功制備標(biāo)志著我們已經(jīng)具備研制大功率紫外激光器的能力,并有望實現(xiàn)大功率紫外激光器的國產(chǎn)化,此工作具有重要的科學(xué)價值和經(jīng)濟(jì)價值。

  該工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金、中科院青促會、北京市科委和中科院先導(dǎo)專項等多個項目的支持。


圖1 GaN紫外激光器激射譜

圖2 GaN紫外激光器P-I-V曲線


  論文鏈接: Room temperature 2W UVLDs.pdf



內(nèi)容來自:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
本文地址:http://m.huaquanjd.cn//Site/CN/News/2022/04/04/20220404145829815332.htm 轉(zhuǎn)載請保留文章出處
關(guān)鍵字: 紫外激光器 GaN 氮化鎵
文章標(biāo)題:中科院半導(dǎo)體所在GaN基大功率紫外激光器領(lǐng)域取得突破
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