Micron推出業(yè)界最廣的LRDIMM模塊產(chǎn)品組合

         Micron Technology最近宣布推出新的LRDIMM(降低負荷雙列直插式內(nèi)存模塊)產(chǎn)品組合，新增64GB系列產(chǎn)品。除了已經(jīng)受到幾個客戶大批量的試用8GB、16GB 和 32GB的標準容量，Micron 又另推出 64GB LRDIMM，以滿足服務器對存儲容量日益增長的需求。

        Micron 繼續(xù)領先存儲市場，其新產(chǎn)品的存儲容量增加了百分之 50 ，使服務器應用性能提升百分之33。這有助于改善系統(tǒng)的可擴展性，大幅提高云計算、高效計算、網(wǎng)絡服務器、交易數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)分析能力，與此同時，每一DIMM單位的耗電比以往的標準模塊減少幾乎百分之10。 

        之前的標準緩存 DIMM s (RDIMMs) 的負荷能力由于在虛擬計算環(huán)境中可獲得的存儲空間有限而受到限制。LRDIMMs 能降低服務器存儲總線負荷，提高數(shù)據(jù)處理頻率和存儲容量。 

        Micron DRAM 解決方案事業(yè)群的營銷副總監(jiān) Robert Feurle 說：“LRDIMM 技術(shù)將改變DRAM內(nèi)存在服務器上的利用方式，讓數(shù)據(jù)中心在不增加中央處理器(CPU)數(shù)量的情況下能支持更多占用存儲空間的應用程序。”

        LRDIMM若搭配適當?shù)?A href="http://m.huaquanjd.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e6%9c%8d%e5%8a%a1%e5%99%a8&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">服務器虛擬化策略，能夠使基礎設施效能最大化，并優(yōu)化投資報酬。例如，使用Inphi的隔離存儲緩沖(iMB(TM))芯片替代緩存器，Micron的LRDIMM 可減少目前DDR3 服務器雙列模塊的負荷兩倍，四列模塊的負荷四倍。

        Inphi Corporation 的營銷、計算和存儲事業(yè)副總裁Paul Washkewicz 說：“通過與Micron 這樣居于領到地位的公司合作，我們很高興看到LRDIMM 技術(shù)得到實現(xiàn)。在過去兩年中，和關(guān)鍵伙伴Micron 合作，利用本公司的隔離存儲緩沖(iMB(TM))技術(shù)開發(fā)了LRDIMM。雙方的努力大幅提高了DDR3 服務器系統(tǒng)的存儲容量和效能，廣受數(shù)據(jù)中心歡迎。”

        新平臺的開發(fā)強化了服務器網(wǎng)絡的可擴展性和虛擬化程度，應用程序日后將能夠更好的利用Micron LRDIMM產(chǎn)品所提供的競爭優(yōu)勢。Supermicro(R) SuperServer(R) 解決方案是首個支持LRDIMM 系列產(chǎn)品的平臺。

        Supermicro 的國際業(yè)務副總Wally Liaw 說：“Supermicro 以最適合應用程序 、最高效的服務器解決方案領先市場。整合Micron 先進的LRDIMM 技術(shù)提高了我們的優(yōu)勢，另外提供高容量而高速的存儲選擇。Supermicro LRDIMM 相容的SuperServer 解決方案提供客戶更佳的存儲密度、速度和效率，提供符合成本效益、提高競爭力的企業(yè)優(yōu)勢。” 

        Micron的新LRDIMM 樣本現(xiàn)有8GB、16GB 和32GB三種容量，64GB模塊樣本預計于 2012 年2月推出。