意法跨過8吋碳化硅晶圓量產里程碑

  ICC訊 意法半導體(STMicroelectronics，ST)宣布，該公司位于瑞典Norrk?ping的工廠制造出首批8吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓，這些晶圓將用于生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術領域的領導地位，且提升了功率電子晶片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。

  意法半導體首批8吋SiC晶圓品質十分優(yōu)良，對于晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。其低缺陷率歸功于意法半導體碳化矽公司(前身為Norstel，2019年被ST收購)在SiC矽錠生長技術深厚積累的研發(fā)技術。除了晶圓能滿足嚴格的品質標準之外，升級到8吋SiC晶圓還需要對制造設備和支援生態(tài)系統(tǒng)的升級。意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作研發(fā)專屬的制造設備和生產制程。

  意法半導體先進的量產碳化矽STPOWER SiC目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段制程制造，后段制程制造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。這個階段性的成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益之8吋SiC量產計畫的一部分。到2024年，升級到8吋SiC晶圓屬于公司正在執(zhí)行之新建碳化矽基板廠和內部采購碳化矽基板比重超過40%的計畫。

  意法半導體汽車和離散元件產品部總裁Marco Monti表示，汽車和工業(yè)市場正在加速推動系統(tǒng)和產品電氣化的進程，升級到8吋SiC晶圓將為我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大優(yōu)勢。隨著擴大產能，提升規(guī)模經濟效益至關重要。在覆蓋整個制造鏈的內部SiC生態(tài)系統(tǒng)領域累積之深厚的專業(yè)知識，可提升我們的制造彈性，還能更有效地控制晶圓良率和改善品質。

  碳化矽是一種化合物半導體材料，在電動汽車和工業(yè)制造過程等重要的高成長之功率應用領域，相較于與矽材料，碳化矽可提供更高的性能和效能。ST在SiC領域的領導地位歸功于25年的專注和研發(fā)投入，其擁有70多項專利。這項顛覆性技術可達到更高效的電力轉換，更小且更輕量化的設計，同時節(jié)省更多系統(tǒng)設計的整體成本，這些都是決定車用和工業(yè)系統(tǒng)成功的關鍵參數(shù)和因素。相較于6吋晶圓，8吋晶圓更可以增加產能，將制造積體電路可用面積擴大近一倍，合格晶片產能則為6吋晶圓的1.8~1.9 倍。