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日媒:日本已在半導(dǎo)體基礎(chǔ)研究中落后中美

摘要:本周舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,出自日本研究者的論文僅占此次會(huì)議接受論文數(shù)的 3.5%,較去年 6.2% 的占比進(jìn)一步萎縮。

  ICC訊  據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,本周舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,出自日本研究者的論文僅占此次會(huì)議接受論文數(shù)的 3.5%,較去年 6.2% 的占比進(jìn)一步萎縮。

  ▲ (圖自 businesskorea)

  從本次 ISSCC 接受論文來(lái)源地看,美、韓與中國(guó)大陸分居前三位,日本則已落后于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。

  日經(jīng)新聞指出,前沿基礎(chǔ)研究的滯后,可能拖累日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

  每年 2 月份舉行的 ISSCC,被譽(yù)為“半導(dǎo)體奧運(yùn)會(huì)”,與每年年中的超大規(guī)模集成電路研討會(huì)(VLSI)、年末的國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)并稱半導(dǎo)體器件三大國(guó)際頂會(huì)。

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關(guān)鍵字: 日本 半導(dǎo)體
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