3nm工藝投產(chǎn)！三星反超臺積電

  ICC訊  據(jù)韓國媒體報道，三星電子今日正式投產(chǎn)GAA架構(gòu)的3nm工藝芯片制造，為趕超臺積電奠定基礎(chǔ)。報道稱，GAA架構(gòu)優(yōu)于當(dāng)前廣泛使用的FinFET架構(gòu)。

  臺積電此前宣布在今年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這意味著，三星首次在先進(jìn)工藝層面反超臺積電。此外，英特爾預(yù)計在明年下半年量產(chǎn)3nm工藝芯片。

  這一工廠投產(chǎn)也打破了業(yè)界的大量猜疑。此前臺灣業(yè)界就認(rèn)為，三星可能因?yàn)?A href="http://m.huaquanjd.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=3nm&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">3nm良率過低，而不得不延后量產(chǎn)。

  客觀來說，這一猜疑具有歷史基礎(chǔ)。三星一直努力追趕臺積電的先進(jìn)工藝，但步伐太大，良率時不時成為隱患。在晶圓代工市場，三星也大幅落后于臺積電的份額。

  對于三星的突破性進(jìn)展，臺積電表示不予評論。據(jù)稱，臺積電基于FinFET架構(gòu)的3nm工藝將進(jìn)入量產(chǎn)階段，并搭配FINLEX架構(gòu)。此外，2nm工藝預(yù)計在2025年量產(chǎn)。

  數(shù)據(jù)顯示，三星芯片制造60%產(chǎn)能供給集團(tuán)旗下公司。預(yù)計本次3nm產(chǎn)能也不例外，將優(yōu)先三星集團(tuán)使用。