II-VI與SEDI合作 打造150mm晶圓制造平臺(tái)

  ICCSZ訊（編譯：Nina）日前，領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商II-VI公司(納斯達(dá)克：IIVI)，宣布與住友電工(TYO：5802)旗下子公司住友電氣設(shè)備創(chuàng)新公司(Sumitomo Electric Device Innovations，SEDI)進(jìn)行戰(zhàn)略合作，打造一個(gè)垂直整合的150mm晶圓制造平臺(tái)，來制造最先進(jìn)的碳化硅(SiC)襯底氮化鎵(GaN)HEMT器件，以支持下一代無線網(wǎng)絡(luò)。

  部署下一代寬帶無線服務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)正在推動(dòng)具有關(guān)鍵支持技術(shù)的可擴(kuò)展戰(zhàn)略供應(yīng)鏈的發(fā)展。II-VI在150mm化合物半導(dǎo)體制造方面的領(lǐng)導(dǎo)地位與SEDI在GaN RF器件技術(shù)方面的領(lǐng)先地位相結(jié)合，將使雙方能夠帶來具有一流性能、更大規(guī)模和更具競(jìng)爭(zhēng)力成本的5G RF解決方案。

  SEDI公司總監(jiān)Keiichi Imamura表示：“II-VI已投入大量資金建立世界級(jí)的150mm化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)。面對(duì)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)機(jī)遇，現(xiàn)在是時(shí)候?qū)⑽覀冮L(zhǎng)期的商業(yè)關(guān)系發(fā)展成全面戰(zhàn)略關(guān)系。我們將利用II-VI的制造平臺(tái)實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)，以滿足即將到來的全球化碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件需求?！?

  II-VI公司總裁兼首席執(zhí)行官Chuck Mattera博士表示：“我們很高興與無線通信應(yīng)用的高性能氮化鎵HEMT產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者SEDI合作。這種合作將打造一個(gè)從基板到RF模塊的差異化、垂直整合的價(jià)值鏈解決方案。將SEDI業(yè)界領(lǐng)先的HEMT器件技術(shù)與我們的150mm制造平臺(tái)相結(jié)合，將加速兩家公司的寬帶RF產(chǎn)品路線圖，并在未來數(shù)年內(nèi)確保領(lǐng)先的技術(shù)和市場(chǎng)地位。為迎接產(chǎn)能需求的攀升，我們正在準(zhǔn)備一個(gè)150mm的半絕緣基板制造平臺(tái)，并擴(kuò)展我們的新澤西Warren工廠，以將這些核心技術(shù)增加到我們不斷增長(zhǎng)的光電器件制造能力中?！?

  II-VI的新澤西州Pinebrook工廠和伊利諾伊州Champaign工廠滿足寬帶隙半導(dǎo)體材料快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。公司位于新澤西州Warren的150mm生產(chǎn)設(shè)施預(yù)計(jì)將在2020年中期完成碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)HEMT器件的生產(chǎn)認(rèn)證。