ICCSZ訊(編譯:Nina)NeoPhotonics宣布其非密封30-40 mW DFB激光光源全面上市(GA)。該激光光源是用于每波長(zhǎng)100G的硅光CWDM4 FR4以及1310 nm DR1和DR4收發(fā)器。這些激光器可帶或不帶集成光點(diǎn)尺寸轉(zhuǎn)換器(SSC)。
NeoPhotonics低損耗SSC技術(shù)可將磷化銦激光器直接連接至硅光波導(dǎo),從而提高了制造可擴(kuò)展性并降低了成本。這些高效、高功率的DFB激光器可在高達(dá)75攝氏度的溫度下運(yùn)行,并符合Telcordia GR-468-CORE的要求,使其非常適用于非密封式硅光小型可插拔模塊,例如400G QSFP-DD。
硅光子光子集成電路可以在單個(gè)芯片上組合四個(gè)不同的高速調(diào)制器,但是它需要對(duì)光源進(jìn)行調(diào)制。必須在硅光芯片上耦合一個(gè)單獨(dú)的激光器或激光器陣列,該激光器或激光器陣列可以在指定的波長(zhǎng)上產(chǎn)生足夠的光功率,以克服硅調(diào)制器和波導(dǎo)中的損耗。NeoPhotonics高功率DFB激光器系列能有效地耦合到SiPho調(diào)制器芯片,并且不需要密封封裝,使其成為下一代收發(fā)器模塊的理想選擇。
高速硅光調(diào)制器芯片由于其較高的“ Vpi”,通常需要具有大電壓擺幅的驅(qū)動(dòng)器放大器,而該放大器也由NeoPhotonics提供?;?A href="http://m.huaquanjd.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=NeoPhotonics&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">NeoPhotonics砷化鎵的四驅(qū)動(dòng)器芯片在單個(gè)緊湊的低功耗芯片中結(jié)合了四個(gè)獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器,旨在支持緊湊的可插拔模塊,例如OSFP和QSFP-DD。