國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光互連芯片在NOEIC完成研制

  隨著超級計算、人工智能、5G等新興技術(shù)的蓬勃發(fā)展，全球數(shù)據(jù)交換需求爆發(fā)式增長，光收發(fā)模塊市場已達千億。目前，國際上400G光模塊進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術(shù)標準正在推進中。2021年12月13日，針對1.6T光接口的MSA(Multi-Source Agreement，多源協(xié)議)行業(yè)聯(lián)盟宣布成立，宣告1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。然而，1.6Tb/s光芯片在速率、集成度、封裝技術(shù)等方面都具有極高挑戰(zhàn)，國際上還沒有明確和完善的解決方案。

以太網(wǎng)聯(lián)盟預測2023年后數(shù)據(jù)速率將達到1.6TE

  近日，國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室、中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司，在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證，實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器，每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換，最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試，完成了單片容量高達8×200Gb/s光互連技術(shù)驗證。該工作刷新了國內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平，展現(xiàn)出硅光技術(shù)的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢，為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

1.6Tb/s 硅基光發(fā)射芯片

1.6Tb/s 硅基光接收芯片

200Gb/s PAM4硅基光調(diào)制器發(fā)射眼圖

200Gb/s PAM4硅基光探測器接收眼圖

  NOEIC一直致力于推動高端光電子芯片的技術(shù)演進、國內(nèi)首產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化。近年來，在超高速光收發(fā)芯片技術(shù)上獲得持續(xù)突破，相繼研制出一系列新型的超100Gbaud硅光調(diào)制器和探測器成果，先后在Nature Communications、IEEE JSSC、ECOC PDP、ACP PDP上發(fā)布，并入選“中國光學十大進展”、“中國半導體十大研究進展”，面向Tb/s光模塊作出了充分的技術(shù)儲備。

  NOEIC同時積極參與和推動相關(guān)標準制定工作，牽頭中國通信標準化協(xié)會(CCSA)“100GBaud及以上高速光收發(fā)器件研究”、“800G光收發(fā)合一模塊：4×200G”標準，為我國高速光模塊行業(yè)標準制定貢獻力量。國家信息光電子創(chuàng)新中心將繼續(xù)聯(lián)合國內(nèi)優(yōu)勢單位，共同完成相關(guān)技術(shù)驗證和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化等工作，力爭為我國信息光電子行業(yè)提速升級、快速占據(jù)產(chǎn)業(yè)制高點提供有力支撐。