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英特爾利用硅開發(fā)出40Gbps光調制器 用于板卡間通信

摘要:   【日經(jīng)BP社報道】美國英特爾宣布,利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調制器。今后,該公司還計劃將25個40Gbps
 
  【日經(jīng)BP社報道】美國英特爾宣布,利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調制器。今后,該公司還計劃將25個40Gbps光調制器集成在一枚芯片上,實現(xiàn)1Tbps的傳輸容量,以用于超級計算機的板卡間通信等。
 
  英特爾開發(fā)的是馬赫—曾德爾(Mach-Zehnder)干涉儀(MZI)型的光調制器。通過使分為2條的光信號中的一條的相位延遲180度等,將再次合成后的振幅調制為1或0。相位的控制利用了折射率隨硅材料中的載波密度而改變的原理,與此前的普通光調制器采用的原理不同,此前采用的是名為“泡克耳斯效應”的基于LiNbO3及GaAs等化合物的光電效應。
 
  新產品為MZI型,這與該公司05年發(fā)布的10Gbps光調制器相同,不過此次“通過調整行波電極的設計,實現(xiàn)了40Gbps的調制”(英特爾)。行波電極是在光和高頻電信號前進的方向上,根據(jù)相位在一定距離設置的相互作用電極。其特點是調制效率高,易于實現(xiàn)高速化及低壓驅動。
 
  英特爾已經(jīng)將采用上述光調制器實現(xiàn)的30Gbps調制成果發(fā)表在了2007年1月22日的光通信技術學術雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8~11日于美國猶他州舉行的國際會議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上,宣布傳輸速度達到了40Gbps。
 
  上述研究為英特爾與NEC推進的硅光子技術的一環(huán)(參閱本站報道)。 英特爾計劃將25個此次開發(fā)的調制器集成在一枚芯片上,采用波分復用,確保1Tbps的傳輸容量。關于此次成果的利用方式,NEC的目標是實現(xiàn)配備光收發(fā)器的芯片之間的信號傳輸,而英特爾則考慮在芯片間采用銅(Cu)等金屬布線的板卡的信號傳輸方面采用這種芯片。(記者:野澤 哲生)
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