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英飛凌居林200mm碳化硅晶圓廠第一階段建設(shè)完成

摘要:英飛凌已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠的第一階段建設(shè)。

  ICC訊 英飛凌已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳化硅(SiC)功率晶圓廠的第一階段建設(shè)。

  英飛凌計(jì)劃于8月正式啟用居林3號(hào)晶圓廠模塊,SiC生產(chǎn)將于2024年底開(kāi)始。該晶圓廠是馬來(lái)西亞政府為提高該國(guó)芯片產(chǎn)量而制定的1000億美元計(jì)劃的核心。

  SiC產(chǎn)線的生產(chǎn)設(shè)備正在安裝中,晶圓廠的設(shè)計(jì)可適應(yīng)較新的設(shè)備類型、產(chǎn)量和結(jié)構(gòu)要求。

  英飛凌和Wolfspeed正在爭(zhēng)奪全球最大200mm晶圓廠的頭銜,盡管兩者都尚未公布計(jì)劃產(chǎn)能。

  此前,意法半導(dǎo)體在位于意大利卡塔尼亞的試驗(yàn)生產(chǎn)線安裝后,獲得了全球首個(gè)綜合碳化硅晶圓工廠和量產(chǎn)工廠的資金批準(zhǔn)。

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