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長(zhǎng)光華芯100G PAM4 VCSEL芯片獲得Lightwave創(chuàng)新獎(jiǎng)

摘要:長(zhǎng)光華芯100G PAM4 VCSEL芯片獲得光通信年度創(chuàng)新大獎(jiǎng)Lightwave Innovation Reviews。

  美國(guó)時(shí)間4月1日,光通信年度創(chuàng)新大獎(jiǎng)Lightwave Innovation Reviews獲獎(jiǎng)名單在OFC展會(huì)同期公布,長(zhǎng)光華芯100G PAM4 VCSEL 芯片獲獎(jiǎng)。

  Lightwave+BTR Innovation Reviews

  是由全球光網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域知名媒體Lightwave主辦的年度創(chuàng)新獎(jiǎng)項(xiàng),旨在表彰光通信領(lǐng)域最具突破性和影響力的產(chǎn)品、技術(shù)與解決方案。評(píng)選范圍覆蓋光通信全產(chǎn)業(yè)鏈,包括光傳輸、光接入、數(shù)據(jù)中心、光纖基礎(chǔ)設(shè)施等技術(shù)領(lǐng)域。

  由運(yùn)營(yíng)商、技術(shù)供應(yīng)商、行業(yè)分析師及高校研究人員組成獨(dú)立評(píng)審團(tuán),產(chǎn)品需具備行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)突破或新應(yīng)用場(chǎng)景,對(duì)行業(yè)格局或商業(yè)模式產(chǎn)生顯著推動(dòng)作用,通過實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證的高可靠性、低能耗等特性才能從中突圍。

  這一獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新性、市場(chǎng)影響力以及性能優(yōu)勢(shì)的認(rèn)證,獲獎(jiǎng)產(chǎn)品通常成為行業(yè)技術(shù)演進(jìn)方向和技術(shù)標(biāo)桿!

  獲獎(jiǎng)產(chǎn)品

  850nm 100G PAM4 VCSEL芯片


  長(zhǎng)光華芯850nm 100G PAM4 VCSEL 芯片產(chǎn)品于2024年9月發(fā)布,在帶寬、RIN等關(guān)鍵特性方面媲美業(yè)界頂尖水平:

  常溫帶寬典型值28GHz,RIN典型值<-150dB/Hz;

  波長(zhǎng)<863nm,滿足IEEE 50m OM4 多模光纖傳輸標(biāo)準(zhǔn)要求;

  優(yōu)秀的抗反射性能,保障客戶模塊在0-70℃全溫范圍工作BER無跳變;

  滿足400G VR4/SR4/AOC、 800G VR8/SR8/AOC應(yīng)用,產(chǎn)品嚴(yán)格按照GR468標(biāo)準(zhǔn)完成可靠性認(rèn)證,套片產(chǎn)品在客戶處驗(yàn)證表現(xiàn)優(yōu)異,良率高。

  迭代產(chǎn)品

  850nm 100G PAM4 VCSEL(SR)


  2025年3月14日,長(zhǎng)光華芯發(fā)布迭代產(chǎn)品850nm 100G PAM4 VCSEL(SR),在原產(chǎn)品基礎(chǔ)上優(yōu)化設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)傳輸距離提升,從50m提升至100m,有效提高布線靈活性與空間利用率,減少中繼設(shè)備,降低能耗與運(yùn)營(yíng)成本,減少故障點(diǎn),增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性與穩(wěn)定性,代表了目前國(guó)產(chǎn)芯片領(lǐng)先水平!

  本次獲獎(jiǎng)產(chǎn)品及升級(jí)迭代的產(chǎn)品都將在OFC1129展位展出,歡迎垂詢!

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