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100G光模塊等項目入圍863計劃2014年度備選

摘要:4月16日,科技部公布了國家863計劃信息技術(shù)領(lǐng)域2014年度備選項目征集指南,涉及光通訊行業(yè)的100Gb/s中長距離光互連芯片及模塊等領(lǐng)域。本指南申報方向均為前沿技術(shù)類,項目實施年限原則上為3年。

       【訊石光通訊咨詢網(wǎng)】日前,科技部門戶網(wǎng)發(fā)布國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃信息技術(shù)領(lǐng)域2014年度備選項目征集指南。國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(以下簡稱“863計劃”),是以解決事關(guān)國家長遠發(fā)展和國家安全的戰(zhàn)略性、前沿性和前瞻性高技術(shù)問題為核心,重點落實前沿技術(shù)研究任務和部分重點領(lǐng)域中的重大研究任務。

        其中,寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊、可重構(gòu)光分插復用核心光子器件、100Gb/s中長距離光互連芯片及模塊紛紛入圍了863計劃2014年度備選項目。

寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊

        為滿足4G移動通信中寬頻帶傳輸和低功耗無線接入的重大需求,研究高線性直接調(diào)制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無線傳輸與分配等關(guān)鍵技術(shù),并進行系統(tǒng)示范應用,填補國內(nèi)高線性模擬通信光收發(fā)模塊的空白。下設2個研究方向。

1)高線性激光器和光探測器陣列芯片(國撥經(jīng)費限1100 萬元,實施年限3年)

        針對光載無線(RoF)組網(wǎng)技術(shù)對激光器和光探測器的要求,研制出模擬通信激光器陣列芯片,研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測器陣列芯片,高頻響應覆蓋X波段以下頻率范圍,激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測器飽和光功率大于5dBm。

2)寬頻帶光收發(fā)模塊與系統(tǒng)驗證(國撥經(jīng)費限1100萬元,實施年限3年)

        針對光載無線(RoF)組網(wǎng)技術(shù)對光發(fā)射機和光接收機的要求,研究大動態(tài)直接調(diào)制激光器和探測器集成芯片的微波封裝技術(shù),研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發(fā)模塊,傳輸距離大于10km,并完成系統(tǒng)實驗驗證。

可重構(gòu)光分插復用核心光子器件

        面向任意波長、任意方向、無阻塞高速光路由器,研制可重構(gòu)光分插復用(ROADM)中,波長選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列等核心光子芯片技術(shù),在多端口、高速切換、多功能陣列芯片集成等方面取得重要突破,填補大容量數(shù)據(jù)交換技術(shù)的空白。下設2個研究方向。

1)波長選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列(國撥經(jīng)費限900萬元,實施年限3年)

        針對下一代ROADM的要求,研究空間光束的大角度偏轉(zhuǎn)技術(shù)、空間光束無縫分割技術(shù)、無柵格光譜分割技術(shù),實現(xiàn)端口數(shù)為8×16、寬帶設置范圍為40nm無柵格波長選擇開關(guān)芯片;研制帶內(nèi)平坦度小于0.5dB寬帶可調(diào)16通道光濾波器陣列芯片。

2)陣列芯片的模塊化封裝與系統(tǒng)驗證(國撥經(jīng)費限限1100 萬元,實施年限3年)

        針對下一代ROADM的要求,研究波長選擇開關(guān)及寬帶可調(diào)濾波器陣列的模塊化封裝技術(shù),實現(xiàn)切換時間小于250ms、插入損耗小于9dB無柵格波長選擇開關(guān)模塊;實現(xiàn)插入損耗小于6dB、回波損耗大于40dB寬帶可調(diào)光濾波器陣列模塊;并實現(xiàn)滿足任意波長、任意方向、無阻塞ROADM的系統(tǒng)演示驗證。

100Gb/s中長距離光互連芯片及模塊

        研究100Gb/s光互連芯片技術(shù),突破4×25Gb/s直接調(diào)制激光器(DML)陣列芯片、4×25Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件(EML)陣列芯片和4×25Gb/s光電探測器陣列芯片制備關(guān)鍵技術(shù),實現(xiàn)100Gb/s光互連的業(yè)務演示。下設2個研究方向。

1) 1310nm波段4×25Gb/s激光器和探測器陣列芯片(國撥經(jīng)費限1500 萬元,實施年限3年)

        研制4通道直接調(diào)制激光器(DML)陣列和電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件(EML)陣列兩類光發(fā)射芯片,調(diào)制速率均大于28Gb/s,動態(tài)消光比分別大于6dB和10dB,發(fā)射波長為1310nm波段中符合ITU-T規(guī)范的4個波長,波長信道間隔400GHz,邊模抑制比大于35dB。研制4通道高速光電探測器陣列芯片,工作速率大于28Gb/s。

2)100Gb/s光互連光收發(fā)模塊及系統(tǒng)驗證(國撥經(jīng)費限1000萬元,實施年限3年)

        研究滿足IEEE 802.3 標準的100Gb/s光互連4通道直接調(diào)制激光器(DML)陣列和電吸收調(diào)制器,DFB激光器集成器件(EML)陣列光收發(fā)模塊,單通道工作速率大于25Gb/s、功耗小于3.5W、工作溫度范圍0-70攝氏度,兩類光收發(fā)模塊傳輸距離分別大于10km和40km,并進行系統(tǒng)示范驗證。

        值得注意的是,申報單位需按要求完成網(wǎng)上申報,并通過各推薦主體報送正式文件。而新材料、交通、先進能源、先進制造、信息、地球觀測與導航等領(lǐng)域為2013年5月15日8:00至5月31日17:00,另外,北京地區(qū)推薦單位的紙質(zhì)申報材料請于網(wǎng)上申報截止后一周內(nèi)報送相關(guān)受理單位,京外推薦單位10日內(nèi)報送。2014年項目(課題)申報將按領(lǐng)域分期受理,逾期不予受理。

        其中,本指南申報方向均為前沿技術(shù)類,項目實施年限原則上為3年。   

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