OLT需要下沉到C-RAN機(jī)房嗎？

  (1)OLT上聯(lián)

  C-RAN機(jī)房因需解決BBU的回傳，必然具備至匯聚點(diǎn)的上聯(lián)光纜資源;OLT至匯聚節(jié)點(diǎn)的傳輸采用光纖直連方式時(shí)，利用BBU回傳光纜即可。但OLT的上聯(lián)全程采用PTN承載時(shí)，則需要在C-RAN機(jī)房增加接入層PTN設(shè)備，每個(gè)節(jié)點(diǎn)約增加投資3萬(wàn)元。

  (2)主干光纜

  OLT下沉到C-RAN機(jī)房B和C后，C-RAN機(jī)房B和C則需新增主干光纜，新增主干光纜的芯數(shù)和條數(shù)與下沉的PON口數(shù)有關(guān)。由于主干光纜的纖芯使用率在50%左右，本例中C-RAN機(jī)房B和C均需新增288芯光纜1條。由于C-RAN機(jī)房A覆蓋用戶數(shù)較原綜合業(yè)務(wù)區(qū)大為減少，原主干光纜纖芯則較為富余;富余的纖芯可用于5G的前傳，也可用于CRAN機(jī)房A覆蓋范圍內(nèi)今后采用PON接入的業(yè)務(wù)發(fā)展需要，并不會(huì)導(dǎo)致浪費(fèi)。

  若OLT不下沉，要使綜合業(yè)務(wù)區(qū)的光纜達(dá)到OLT下沉后相同的接入能力，則需從匯聚點(diǎn)(C-RAN機(jī)房A)新增主干光纜。新增主干光纜的芯數(shù)與OLT下沉方案中C-RAN機(jī)房B和C新增主干光纜的總芯數(shù)一致;新增光纜的長(zhǎng)度與OLT下沉方案相比，相當(dāng)于匯聚點(diǎn)至C-RAN機(jī)房B的距離Lab和C-RAN機(jī)房A至C-RAN機(jī)房C的距離Lac之和。

  OLT下沉短期看會(huì)增加主干光纜投資，但長(zhǎng)期來(lái)看，主干光纜的投資會(huì)有所減少;減少的投資與下沉的PON口數(shù)及C-RAN機(jī)房與匯聚點(diǎn)間的光纜路由長(zhǎng)度相關(guān)。本例中，若Lab和Lac均為1km，則OLT下沉將使主干光纜的投資下降近6.8萬(wàn)元(288芯光纜造價(jià)約3.4萬(wàn)元/km)。由于主干光纜建設(shè)長(zhǎng)度的減少，對(duì)管孔及桿路資源的占用也隨之減少。

  (3)ODN鏈路全程衰耗

  OLT下沉后，OLT至用戶的距離縮短， ODN鏈路全程衰耗隨之減少。但ODN鏈路全程衰耗中，光纖長(zhǎng)度的影響較小(約0.45dB/km)，除非Lab或Lac的值較大(超過(guò)2km)，否則影響不大。

  3、機(jī)房及配套

  一臺(tái)OLT滿配時(shí)的耗電約1200瓦，相應(yīng)空調(diào)耗電約增加400瓦。蓄電池的容量也相應(yīng)需要增加。

  一臺(tái)OLT需占用半個(gè)機(jī)架。滿配的PON口約250個(gè)左右，由于光纜的纖芯使用率約為50%，故每臺(tái)OLT設(shè)備對(duì)應(yīng)的ODF線路端口約500個(gè)，相當(dāng)于1臺(tái)ODF架的容量。

  可見(jiàn)每下沉1臺(tái)OLT，都會(huì)對(duì)C-RAN機(jī)房及配套帶來(lái)明顯的負(fù)擔(dān);同時(shí)也會(huì)明顯減輕匯聚點(diǎn)的壓力。

  結(jié)論與建議

  綜上所述，OLT是否下沉到C-RAN節(jié)點(diǎn)，要視具體情況而定。

  在當(dāng)前XG-PON板卡較貴的情況下，若CRAN機(jī)房與匯聚點(diǎn)的光纜路由長(zhǎng)度較短(不超過(guò)1km)、下沉的PON口數(shù)較少(少于150個(gè))，則OLT下沉?xí)雇顿Y增加。OLT節(jié)點(diǎn)數(shù)的增加還使OLT節(jié)點(diǎn)失效的風(fēng)險(xiǎn)增大。

  但若匯聚點(diǎn)機(jī)房空間或電源等條件受限，C-RAN機(jī)房與匯聚點(diǎn)的光纜路由長(zhǎng)度較長(zhǎng)時(shí)，則OLT下沉可能是更好的選擇。