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重磅!中芯國(guó)際工藝獲重大進(jìn)展!

摘要:中國(guó)一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)芯動(dòng)科技,宣布公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試,所有IP全自主國(guó)產(chǎn),功能一次測(cè)試通過(guò)!

 ICC訊 10月12日,中國(guó)一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)芯動(dòng)科技,宣布公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試,所有IP全自主國(guó)產(chǎn),功能一次測(cè)試通過(guò)!

  芯動(dòng)科技有限公司成立于2006年,是一家高端混合電路芯片設(shè)計(jì)公司,擁有自主全系列高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù),曾多次在芯片先進(jìn)工藝上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。

  2020年,芯動(dòng)科技推出中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的INNOLINK Chiplet高性能計(jì)算平臺(tái)(CPU/GPU/NPU),在各FinFET先進(jìn)工藝上定制多款芯片,全部一次成功上量。

  在中芯國(guó)際N+1工藝尚待成熟的情況下,芯動(dòng)科技的技術(shù)團(tuán)隊(duì)投入數(shù)千萬(wàn)元進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),基于中芯國(guó)際N+1制程的首款芯片經(jīng)過(guò)持續(xù)數(shù)月、連續(xù)多輪的測(cè)試迭代,成功助力中芯國(guó)際突破N+1工藝良率瓶頸,向著實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步。

  中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、也是技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè),而N+1工藝是中芯國(guó)際在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)。

  此前,中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士曾介紹,與現(xiàn)有的14nm工藝相比,N+1工藝的性能提升20%,功耗降低57%,邏輯面積縮小63%,SoC面積減少55%。從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看,該工藝已與臺(tái)積電7nm相近。

  梁孟松博士表示,N+1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似,但性能要低一些(業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%),所以中芯國(guó)際的N+1工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。中芯國(guó)際后續(xù)將推出的N+2在功耗上與N+1表現(xiàn)差不多,但主要面向高性能,同時(shí)成本也會(huì)有所增加。

  在此前公布的2020年上半年財(cái)報(bào)當(dāng)中,中芯國(guó)際曾表示,第二代先進(jìn)工藝(N+1)進(jìn)展順利,已進(jìn)入客戶(hù)產(chǎn)品驗(yàn)證階段。9月下旬,中芯國(guó)際再度對(duì)外回應(yīng)稱(chēng),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

  結(jié)合相關(guān)報(bào)道,芯動(dòng)科技是中芯國(guó)際N+1工藝的首批客戶(hù),并有望年底試產(chǎn)。

  截至10月12日收盤(pán),中芯國(guó)際漲11.47%,現(xiàn)報(bào)20.60港元,最新市值1186.51億港元。

  本文轉(zhuǎn)載自:中國(guó)半導(dǎo)體論壇

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