ICC訊 在半導(dǎo)體晶圓代工上,臺積電一家獨(dú)大,從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先,然而三星的追趕一刻也沒放松,今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺積電,2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
從2019年開始,三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元稱為全球最大的半導(dǎo)體公司,其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一,目標(biāo)就是要追趕上臺積電。
在最近的幾代工藝上,三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺積電,包括10nm、7nm及5nm,不過5nm算是縮短了差距,今年也量產(chǎn)了,此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。
但三星追趕臺積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上,因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管,是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而臺積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會(huì)使用GAA工藝。
最新消息稱,三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說,三星計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝,而臺積電的計(jì)劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝,如此一來三星兩年后就要趕超臺積電了。
值得一提的是,臺積電也似乎感受到了三星的壓力,原本計(jì)劃2024年才推出2nm工藝,現(xiàn)在研發(fā)順利,2023年下半年就準(zhǔn)確試產(chǎn)了。