日企減少對華為5G芯片供貨！華為三招組合拳加速國產(chǎn)替代

      ICC訊 7月4日，據(jù)《日經(jīng)新聞》報道稱，日本芯片制造商住友電工將從9 月起為美國5G基站生產(chǎn)半導(dǎo)體。住友電工在美國新澤西州的一家工廠，生產(chǎn)用于 5G 基站的半導(dǎo)體。此前，住友電工將其大部分的5G基站半導(dǎo)體銷售給中國華為公司。

  據(jù)筆者查閱，華為基站美國零部件的使用比例達到了27.2%。其中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)為美國萊迪思Lattice和賽靈思Xilinx公司的產(chǎn)品。日本進入供應(yīng)鏈的企業(yè)有TDK、精工愛普生和住友電工，內(nèi)存芯片則主要來自三星電子。住友電工減少對華為5G基站芯片供應(yīng)，到底會有怎樣的影響?其他日本企業(yè)是否會跟進?華為做了哪些防御來構(gòu)建未來供應(yīng)鏈?本文進行了深入分析。

  地緣政治博弈和芯片短缺疊加，住友減少對華為供貨到底有何影響?

  日經(jīng)新聞的資料顯示，全球芯片短缺加劇了供應(yīng)鏈中斷的擔憂，住友電工是華為公司的一家主要供貨商，90% 產(chǎn)品供應(yīng)給中國制造商，現(xiàn)在其目標是增加對美國和歐洲客戶的銷售，計劃將其美國業(yè)務(wù)的產(chǎn)能提高一倍。早在今年1月份，該公司就謀求更大的客戶名單，擺脫對中國ICT廠商華為的依賴。

  之前，在華為遭遇美國禁令前，華為公司已經(jīng)儲備了可以使用兩年時間的關(guān)鍵芯片，以保護其業(yè)務(wù)不受地緣政治的傷害。這些也為他們發(fā)掘中國半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)廠商爭取了寶貴的時間，為有可能建立國產(chǎn)替代的供應(yīng)鏈贏得時間窗口。

  華為對策一：可以積極與臺灣半導(dǎo)體和國內(nèi)氮化鎵代工廠合作，加強供應(yīng)問題

  住友電工，主要生產(chǎn)GaAs低噪聲放大器、光收發(fā)器及模塊等，是全球GaN射頻器件第一大供應(yīng)商，也是華為GaN射頻器件第一大供應(yīng)商，壟斷全球GaN襯底市場。住友電工還向華為供應(yīng)光收發(fā)器及模塊，位列華為50大核心供應(yīng)商之列。

  住友減少供貨華為，可能基于兩方面考慮：一是考慮華為獲取的海外訂單減少，芯片出貨量可能會減緩，減少對單一客戶的依賴;二是住友在美國建廠，擴大客戶來源，住友電工在美國制造的半導(dǎo)體，預(yù)計供應(yīng)給瑞典的愛立信和芬蘭的諾基亞等設(shè)備制造商的美國和歐洲部門。

  華為可能的對策：華為自研GaN射頻器件，GaN代工廠就必須跟進。在臺灣地區(qū)有穩(wěn)懋半導(dǎo)體、大陸地區(qū)有廈門三安集成電路和海威華芯等等。

  華為的對策二：建立武漢海思工廠，光通信芯片和模塊供應(yīng)鏈建設(shè)跟上

  6月27日，臺灣Digitimes Asia爆料，華為在武漢建立第一家晶圓廠，計劃將在2022年陸續(xù)投產(chǎn)，初期主要生產(chǎn)光通信芯片和模塊。華為在5G電信設(shè)備全球出貨排行第一，目前該公司位于武漢的研究院擁有近萬名研發(fā)人員，主要研發(fā)光通信設(shè)備、海思芯片，甚至汽車激光雷達。

  華為武漢工廠的建造，最早這個消息可以追溯到《華為投資控股有限公司2019年度第一期中期票據(jù)募集說明書》，當時公開信息顯示，華為擬建項目中有一個武漢海思工廠，投資18億元。

  武漢海思工廠主要為華為生產(chǎn)自研的磷化銦光通信芯片及模組。資深行業(yè)人士對記者表示，磷化銦材料電學(xué)性質(zhì)優(yōu)勢突出，在半導(dǎo)體光電器件處于關(guān)鍵地位。磷化銦(InP)是第二代半導(dǎo)體材料，閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，禁帶寬度為1.34 eV。其以高電子遷移速率、高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率在光電芯片襯底材料應(yīng)用中占據(jù)優(yōu)勢，并且是光模塊半導(dǎo)體激光器和接收器的關(guān)鍵材料。

  作為全球最強的光網(wǎng)絡(luò)通信商，華為在光通信領(lǐng)域技術(shù)實力雄厚，2020年2月，華為公司在800G光模塊領(lǐng)域率先取得突破。華為當時在倫敦宣布隆重推出業(yè)界首款800G可調(diào)超高速光模塊，采用自主研發(fā)的oDSP芯片。華為800G光模塊被應(yīng)用于全系列的華為OptiXtrans光傳送產(chǎn)品中，涵蓋骨干傳輸、城域傳輸、數(shù)據(jù)中心互聯(lián)等多種應(yīng)用場景，大幅提升光網(wǎng)絡(luò)的傳輸性能，進一步降低單比特傳輸成本。

  華為對策三：哈勃投資對本土芯片廠商持續(xù)投資，34家涉及半導(dǎo)體企業(yè)

  6月24日到7月5日，華為旗下哈勃科技先后在半導(dǎo)體賽道再落兩子，前者哈勃科技投資強一半導(dǎo)體(蘇州)有限公司，其公司注冊資本由6594.3萬人民幣增至7316.5萬人民幣。后者，哈勃科技投資東莞市天域半導(dǎo)體科技，后者注冊資本從人民幣9027萬元增加到9770萬元。截至7月6日，華為哈勃科技從成立之初2019年到今天，投資版圖中一共囊括了37家公司，其中涉及半導(dǎo)體相關(guān)的投資就有34家。

  行業(yè)專家認為，中國攻克類似芯片、操作系統(tǒng)、EDA設(shè)計軟件、半導(dǎo)體設(shè)備等這種被“卡脖子”的技術(shù)，需要長期堅持。半導(dǎo)體有四個關(guān)鍵因素重要：市場、人才、資金和技術(shù)。華為憑借在ICT通信產(chǎn)業(yè)鏈上的領(lǐng)先地位和長期對5G手機、通信市場的深刻洞察，意識到在國產(chǎn)替代當中，必須扶持國內(nèi)相關(guān)元器件廠商的發(fā)展，才能真正實現(xiàn)自主創(chuàng)新，完全去美化。

  以哈勃科技在6月22日投資北京科益虹源光電，5月10日投資深圳云英谷科技，4月16日投資北京晟芯網(wǎng)絡(luò)，3月15日投資云道智造，這四家公司分別聚焦光源系統(tǒng)、AMOLED驅(qū)動芯片、芯片IP Core設(shè)計和ASIC流片、EDA仿真軟件來看，哈勃科技的聚焦半導(dǎo)體“硬殼“的投資思路依然十分穩(wěn)健。圍繞5G發(fā)展的主潮流，華為哈勃在夯實賽道的基礎(chǔ)能力，在最容易被卡殼的光刻機激光器、驅(qū)動芯片、EDA等設(shè)計等底層軟硬件能力持續(xù)儲備。

  7月5日，哈勃科技投資天域半導(dǎo)體，這家公司成立于2009年1月，主營業(yè)務(wù)包括研發(fā)、銷售碳化硅磊晶硅晶圓片，半導(dǎo)體材料及零件等，這是中國第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)取得汽車質(zhì)量認證。

  在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通等下游應(yīng)用快速發(fā)展的帶動下，第三代半導(dǎo)體市場高速增長，而且在未來關(guān)鍵器件中，比如5G通信中，碳化硅器件替代原有器件已經(jīng)成為主流，華為作為通信領(lǐng)域的主流廠商，當然看到這個趨勢，前期，哈勃科技先后投資了第三代半導(dǎo)體材料廠商瀚天天成、山東天岳、鑫耀半導(dǎo)體。

  5月31日，山東天岳也遞交了科創(chuàng)板上市招股書，山東東岳擬募集資金約20億元，用于新建生產(chǎn)廠房、配電和倉儲設(shè)施，將主要用于提升碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化能力，進一步鞏固其在寬禁帶半導(dǎo)體材料產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢與市場領(lǐng)先地位，6月20日，山東天岳先進科創(chuàng)板IPO獲上交所受理。

  華為公司正在加大對本土芯片公司的投資，以填補美國對其芯片供應(yīng)的封鎖造成的供應(yīng)空缺，逐步形成自身半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，為未來在5G手機、5G基站、智能汽車領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先產(chǎn)品打造建立很好的基礎(chǔ)。