ICC訊 在 2017 年工信部發(fā)布的《中國光電子器件產業(yè)技術發(fā)展路線圖(2018-2022 年)》中,明確指出了光芯片和光模塊的發(fā)展路線和規(guī)劃,提出將全面提速 DFB\EML\VCSEL 等光芯片的國產化進程,具體要求 10G EML芯片的自供率在 2022 年提升至 80%。
隨著我國光通信網(wǎng)絡建設的快速推進,敏芯半導體現(xiàn)已推出10G全系列EML芯片產品,包含10G 1577 EML/10G 1550 TDM EML/10G DWDM EML(C波段40波),為國內外客戶提供全系列EML產品與服務。目前該系列產品已取得客戶認證并批量出貨。
敏芯半導體 10G EML CHIP實物圖
我國通信網(wǎng)絡整體架構主要包括無線接入網(wǎng),有線接入網(wǎng)和傳輸網(wǎng)三大應用領域。敏芯半導體的EML光芯片產品在10G PON升級、長距傳輸及長距密波分復用領域為廣大客戶提供全系列解決方案。
在傳輸網(wǎng)應用領域,一般為40km/80km長距離傳輸,對信號的質量有著很高的要求,普通DFB(直調激光器)光芯片產品由于存在啁啾等問題,無法保證長距離傳輸?shù)男盘栙|量,EML(電吸收調制激光器)是最佳解決方案。EML(電吸收調制激光器)的原理復雜、工藝技術難度大,目前此領域仍被國外芯片廠家壟斷。
傳輸網(wǎng)處于信息匯聚的干線位置,對光芯片的壽命及可靠性更高的要求。由于EML(電吸收調制激光器)相比普通DFB(直調激光器)是穩(wěn)定發(fā)光光源+外調制的工作原理。此工作特點決定了EML比DML激光器在實際應用場景中有更好的健壯性,更加符合傳輸網(wǎng)對激光器高可靠性的要求。
傳輸網(wǎng)應用場景中由于傳輸距離較長,導致光纖資源更加緊張,通過增加光纖進行數(shù)據(jù)擴容的難度及成本更大。業(yè)內廣泛采用DWDM(密集波分復用)產品進行擴容。在不增加光纖的條件下,通過增加擴展接口來增加數(shù)據(jù)容量。
DWDM EML示意圖
EML芯片采用EAM與DFB集成的方式組成(如下圖)。通過EA外調制的方法提升信號傳輸質量及產品可靠性,實現(xiàn)傳輸網(wǎng)應用領域光信號的長距離穩(wěn)定傳輸。
EML芯片集成方式
敏芯半導體10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱結構設計和BH工藝,具有低功耗、高帶寬、高可靠性等特點。為便于追溯,芯片正表面提供十進制數(shù)字編碼。
10G 1550nm/DWDM EML
10G 1550nm/DWDM EML激光器,通過客戶端的眼圖測試及傳纖測試評估,可滿足傳輸網(wǎng)40/80km傳輸要求。
性能指標
DWDM波長分布
三溫典型眼圖
10G 1577nm EML
10G 1577nm EML激光器,應用于有線接入網(wǎng)10G PON OLT端。
性能指標
三溫典型眼圖
作為光通信領域全系列光芯片供應商,敏芯半導體持續(xù)深耕于光通信領域。未來,敏芯半導體將一如既往地秉承“做好每一顆光芯片,讓世界愛上中國芯”的使命,陸續(xù)推出性能更優(yōu),速率更高的光芯片產品,為客戶提供更多更可靠的光芯片方案選擇,讓世界愛上中國芯。