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三星電子P3晶圓廠下月開始安裝設(shè)備 計劃下半年建成

摘要:據(jù)國外媒體報道,三星電子2020年開始在韓國平澤市建設(shè)的P3晶圓廠,將在下月開始設(shè)備的安裝,計劃在今年下半年建成。

  ICC訊 4月24日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子2020年開始在韓國平澤市建設(shè)的P3晶圓廠,將在下月開始設(shè)備的安裝,計劃在今年下半年建成。

  三星平澤P3晶圓廠下月開始設(shè)備的安裝,是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的,設(shè)備的進入及安裝將持續(xù)到7月份,較最初計劃的時間將提前1個月。

  三星電子在平澤建設(shè)的P3工廠,占地70萬平方米,將成為全球園區(qū)最大的晶圓廠,是三星電子P2工廠的1.7倍。當(dāng)然,工廠的投資也會相當(dāng)龐大,他們計劃未來幾年最少投資30萬億韓元,最多則投資50萬億韓元,也就是至少投資240億美元,最高投資400億美元。

  從外媒的報道來看,三星電子平澤P3晶圓廠,規(guī)劃的是一座既生產(chǎn)存儲芯片,又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠,率先投產(chǎn)的是NAND閃存,隨后是DRAM,隨后是采用3nm工藝為其他廠商代工晶圓的生產(chǎn)線。

  三星電子平澤P3晶圓廠率先開始生產(chǎn)NAND閃存,也就意味著工廠設(shè)備的安裝,將從NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備開始,外媒在報道中是表示在5月份的第一個周就將開始安裝。

  值得注意的是,三星電子的這一座工廠,將大量采用極紫外光刻機。外媒在報道中就提到,這一工廠的NAND閃存生產(chǎn)線,將采用極紫外光刻機生產(chǎn)第7代176層V-NAND閃存,為其他廠商代工晶圓的3nm工藝,也需要極紫外光刻機。

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