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聯(lián)電搶攻8英寸第三代半導體,新機臺預計下半年進駐廠區(qū)

摘要:聯(lián)電晶圓代工主攻難度更高、經濟效益更好的8英寸晶圓第三代半導體制造領域,近期大舉購置新機臺擴產,預計下半年進駐廠區(qū)。

  ICC訊  5月9日,據臺媒《經濟日報》報道,聯(lián)電晶圓代工成熟制程訂單充裕,毛利率沖高之際,布局當紅的第三代半導體也再進化,主攻難度更高、經濟效益更好的8英寸晶圓第三代半導體制造領域,近期大舉購置新機臺擴產,預計下半年進駐廠區(qū)。

  圖源:經濟日報

  報道稱,法人指出,“聯(lián)家軍”出身的大將已在中國臺灣地區(qū)第三代半導體搶下一片天。例如聯(lián)電前資深副總經理徐建華退休后,轉戰(zhàn)漢磊投控,出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長,并成功帶領漢磊與嘉晶量產第三代半導體產品。

  另外,聯(lián)電此前第三代半導體布局,主要透過轉投資聯(lián)穎切入,鎖定6英寸氮化鎵產品,主要考量目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。目前,聯(lián)穎正在進行技術平臺建置,完成后會把平臺開放給設計公司客戶使用,擴大接單利益基礎。

  供應鏈則透露,聯(lián)電近期擴大第三代半導體布局,自行購置蝕刻、薄膜新機臺,預計下半年將進駐8英寸AB廠,瞄準8英寸晶圓生產第三代半導體的經濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向,全力搶第三代半導體商機。對此,聯(lián)電財務長劉啟東回應,集團在第三代半導體的發(fā)展上,仍以聯(lián)穎為主,聯(lián)電則進行研發(fā),不過確實有在合作,但細節(jié)不便透露。

  業(yè)界分析,第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚,很容易導致晶圓彎曲,鑒于制程難度,目前業(yè)界發(fā)展第三代半導體多以6英寸為主。不過,6英寸晶圓半徑是5公分,8英寸晶圓半徑則是10公分,所以8英寸相對6英寸,一片可以產出的芯片量會“多出很多”,在經濟效益較高的前提下,聯(lián)電選擇切入8英寸第三代半導體領域。

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