ICC訊 在其 2022 年技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電正式公布了其 N2(2 納米級(jí))制造技術(shù),該技術(shù)計(jì)劃于 2025 年某個(gè)時(shí)間投入生產(chǎn),并將成為臺(tái)積電第一個(gè)使用其基于納米片的柵極全方位場(chǎng)效應(yīng)的節(jié)點(diǎn)晶體管(GAAFET)。新節(jié)點(diǎn)將使芯片設(shè)計(jì)人員能夠顯著降低其產(chǎn)品的功耗,但速度和晶體管密度的改進(jìn)似乎不太明顯。
臺(tái)積電的 N2 是一個(gè)全新的平臺(tái),廣泛使用 EUV 光刻技術(shù),并引入了 GAAFET(臺(tái)積電稱(chēng)之為納米片晶體管)以及背面供電。新的環(huán)柵晶體管結(jié)構(gòu)具有廣為人知的優(yōu)勢(shì),例如大大降低了漏電流(現(xiàn)在柵極圍繞溝道的所有四個(gè)邊)以及調(diào)節(jié)溝道寬度以提高性能或降低功耗的能力. 至于背面電源軌,它通常旨在為晶體管提供更好的電力輸送,為后端 (BEOL) 中電阻增加的問(wèn)題提供解決方案。新的電源傳輸旨方案在提高晶體管性能并降低功耗。
從功能集的角度來(lái)看,臺(tái)積電的 N2 看起來(lái)是一項(xiàng)非常有前途的技術(shù)。至于實(shí)際數(shù)字,臺(tái)積電承諾 N2 將讓芯片設(shè)計(jì)人員在相同功率和晶體管數(shù)量下將性能提升 10% 至 15%,或者在相同頻率和復(fù)雜度下將功耗降低 25% 至 30%,同時(shí),與N3E 節(jié)點(diǎn)相比,芯片密度增加了 1.1 倍以上。
與 N3E 相比,臺(tái)積電 N2 節(jié)點(diǎn)帶來(lái)的性能提升和功耗降低與代工廠的新節(jié)點(diǎn)通常帶來(lái)的效果一致。但所謂的芯片密度提升(應(yīng)該反映晶體管密度增益)僅略高于 10% ,這并不是特別鼓舞人心,特別是考慮到與普通 N3 相比,N3E 已經(jīng)提供了略低的晶體管密度。
請(qǐng)記住,如今 SRAM 和模擬電路幾乎無(wú)法擴(kuò)展,因此這些天可能會(huì)預(yù)期實(shí)際芯片的晶體管密度會(huì)出現(xiàn)平庸的改進(jìn)。然而,對(duì)于 GPU 和其他基于晶體管數(shù)量快速增加而生死攸關(guān)的芯片而言,三年內(nèi)芯片密度大約提高 10% 肯定不是好消息。
當(dāng)臺(tái)積電的 N2 投入生產(chǎn)時(shí),該公司還將擁有密度優(yōu)化的 N3S 節(jié)點(diǎn),看來(lái)代工廠將擁有兩種基于不同類(lèi)型晶體管的工藝技術(shù),但提供非常相似的晶體管密度,這在以前從未發(fā)生過(guò)。
像往常一樣,臺(tái)積電將為其 N2 節(jié)點(diǎn)提供各種功能和選擇,以允許芯片設(shè)計(jì)人員針對(duì)移動(dòng)和高性能計(jì)算設(shè)計(jì)等進(jìn)行優(yōu)化(請(qǐng)注意,臺(tái)積電將 HPC 稱(chēng)為非移動(dòng)、汽車(chē)或?qū)I(yè)的一切。包括從低功耗筆記本電腦 CPU 到針對(duì)超級(jí)計(jì)算機(jī)的高端計(jì)算 GPU)。
此外,平臺(tái)產(chǎn)品包括臺(tái)積電稱(chēng)之為“chiplet integration”的東西,這可能意味著臺(tái)積電使其客戶能夠輕松地將 N2 芯片集成到使用各種節(jié)點(diǎn)制造的multi-chiplet封裝中。由于晶體管密度擴(kuò)展正在放緩并且新工藝技術(shù)的使用成本越來(lái)越高,因此multi-chiplet封裝將在未來(lái)幾年變得更加普遍,因?yàn)殚_(kāi)發(fā)人員將使用它們來(lái)優(yōu)化他們的設(shè)計(jì)和成本。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)會(huì)在 2024 年下半年開(kāi)始使用其 N2 制造工藝風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),這意味著該技術(shù)應(yīng)該在 2025 年下半年可用于商業(yè)產(chǎn)品的大批量制造 (HVM)。但是,考慮到現(xiàn)代半導(dǎo)體生產(chǎn)周期的長(zhǎng)度,如果一切按計(jì)劃進(jìn)行,預(yù)計(jì)第一批 N2 芯片將在 2025 年末或 2026 年上市可能更為務(wù)實(shí)。
未來(lái)三年,五種3nm工藝
在技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電宣布的關(guān)鍵事項(xiàng)之一是其屬于其 N3(3 納米級(jí))和 N2(2 納米級(jí))系列的領(lǐng)先節(jié)點(diǎn),這些節(jié)點(diǎn)將在未來(lái)幾年用于制造先進(jìn)的 CPU、GPU 和 SoC .
N3:未來(lái)三年的五個(gè)節(jié)點(diǎn)
隨著制造工藝變得越來(lái)越復(fù)雜,它們的尋路、研究和開(kāi)發(fā)時(shí)間也變得越來(lái)越長(zhǎng),因此我們不再看到臺(tái)積電和其他代工廠每?jī)赡昃蜁?huì)出現(xiàn)一個(gè)全新的節(jié)點(diǎn)。在 N3 中,臺(tái)積電的新節(jié)點(diǎn)引入節(jié)奏將擴(kuò)大到 2.5 年左右,而在 N2 中,它將延長(zhǎng)到 3 年左右。
這意味著臺(tái)積電將需要提供 N3 的增強(qiáng)版本,以滿足其客戶的需求,這些客戶仍在尋求每瓦性能的改進(jìn)以及晶體管密度每年左右的提升。臺(tái)積電及其客戶需要多個(gè)版本的 N3 的另一個(gè)原因是,代工廠的 N2 依賴(lài)于使用納米片實(shí)現(xiàn)的全新柵極環(huán)繞場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GAA FET),預(yù)計(jì)這將帶來(lái)更高的成本、新的設(shè)計(jì)方法、新 IP 和許多其他變化。雖然尖端芯片的開(kāi)發(fā)人員將很快轉(zhuǎn)向 N2,但臺(tái)積電的許多普通客戶將在未來(lái)幾年堅(jiān)持使用各種 N3 技術(shù)。
在其 2022 年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上,該代工廠談到了將在未來(lái)幾年推出的四種 N3 衍生制造工藝(總共五個(gè) 3 納米級(jí)節(jié)點(diǎn))——N3E、N3P、N3S 和 N3X。這些 N3 變體旨在為超高性能應(yīng)用提供改進(jìn)的工藝窗口、更高的性能、增加的晶體管密度和增強(qiáng)的電壓。所有這些技術(shù)都將支持 FinFlex,這是 TSMC 的“秘密武器”功能,極大地增強(qiáng)了他們的設(shè)計(jì)靈活性,并允許芯片設(shè)計(jì)人員精確優(yōu)化性能、功耗和成本。
*請(qǐng)注意,臺(tái)積電在 2020 年左右才開(kāi)始分別發(fā)布針對(duì)模擬、邏輯和 SRAM 的晶體管密度增強(qiáng)。其中一些數(shù)字仍然反映了由 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬組成的“混合”密度
N3 和 N3E:HVM 步入正軌
臺(tái)積電的第一個(gè) 3 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)稱(chēng)為 N3,該節(jié)點(diǎn)有望在今年下半年開(kāi)始大批量制造 (HVM)。實(shí)際芯片將于 2023 年初交付給客戶。該技術(shù)主要針對(duì)早期采用者(如Apple 等),他們可以投資于領(lǐng)先的設(shè)計(jì),并從前沿節(jié)點(diǎn)提供的性能、功率和面積 (PPA) 中受益。但由于它是為特定類(lèi)型的應(yīng)用量身定制的,因此 N3 的工藝窗口相對(duì)較窄(產(chǎn)生確定結(jié)果的一系列參數(shù)),就良率而言,它可能并不適合所有應(yīng)用。
這就是 N3E 發(fā)揮作用的時(shí)候。
新技術(shù)提高了性能,降低了功耗,增加了工藝窗口,從而提高了良率。但權(quán)衡是該節(jié)點(diǎn)的邏輯密度略有降低。與 N5 相比,N3E 將提供 34% 的功耗降低(在相同的速度和復(fù)雜性下)或 18% 的性能提升(在相同的功率和復(fù)雜性下),并將邏輯晶體管密度提高 1.6 倍。
值得注意的是,根據(jù)臺(tái)積電的數(shù)據(jù),N3E 將提供比 N4X更高的時(shí)鐘速度 (2023 年到期)。不過(guò)后者也將支持超高驅(qū)動(dòng)電流和1.2V以上的電壓,在這一點(diǎn)上它將能夠提供無(wú)與倫比的性能,但功耗非常高。
總的來(lái)說(shuō),N3E 看起來(lái)是比 N3 更通用的節(jié)點(diǎn),這就是為什么臺(tái)積電在這一點(diǎn)上擁有更多的“3nm 流片”,而不是在其類(lèi)似的開(kāi)發(fā)階段擁有 5nm 級(jí)節(jié)點(diǎn)也就不足為奇了.
使用 N3E 的芯片的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)將在未來(lái)幾周(即 2022 年第二季度或第三季度)開(kāi)始,HVM 將在 2023 年中期開(kāi)始(同樣,臺(tái)積電沒(méi)有透露我們是在談?wù)摰诙径冗€是第三季度)。因此,預(yù)計(jì)商業(yè) N3E 芯片將在 2023 年底或 2024 年初上市。
N3P、N3S 和 N3X:性能、密度、電壓
N3 的改進(jìn)并不止于 N3E。臺(tái)積電將在 2024 年左右的某個(gè)時(shí)間推出 N3P,這是其制造工藝的性能增強(qiáng)版本,以及 N3S,該節(jié)點(diǎn)的密度增強(qiáng)版本。不幸的是,臺(tái)積電目前沒(méi)有透露這些變體將提供哪些改進(jìn)到基線 N3。事實(shí)上,此時(shí)臺(tái)積電在其路線圖的所有版本中甚至都沒(méi)有展示 N3S,因此嘗試猜測(cè)其特性確實(shí)不是一個(gè)好生意。
最后,對(duì)于那些無(wú)論功耗和成本都需要超高性能的客戶,臺(tái)積電將提供N3X,它本質(zhì)上是N4X的意識(shí)形態(tài)接班人。同樣,臺(tái)積電沒(méi)有透露有關(guān)該節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)信息,只是表示它將支持高驅(qū)動(dòng)電流和電壓。我們可能會(huì)推測(cè) N4X 可以使用背面供電,但由于我們談?wù)摰氖腔?FinFET 的節(jié)點(diǎn),而臺(tái)積電只會(huì)在基于納米片的 N2 中實(shí)現(xiàn)背面供電軌,我們不確定情況是否如此。盡管如此,在電壓增加和性能增強(qiáng)方面,臺(tái)積電可能有許多優(yōu)勢(shì)。
FinFlex:N3 的秘訣
說(shuō)到增強(qiáng)功能,我們絕對(duì)應(yīng)該提到臺(tái)積電 N3 的秘訣:FinFlex 技術(shù)。簡(jiǎn)而言之,F(xiàn)inFlex 允許芯片設(shè)計(jì)人員精確地定制他們的構(gòu)建模塊,以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更高的密度和更低的功耗。
當(dāng)使用基于 FinFET 的節(jié)點(diǎn)時(shí),芯片設(shè)計(jì)人員可以在使用不同晶體管的不同庫(kù)之間進(jìn)行選擇。當(dāng)開(kāi)發(fā)人員需要以性能為代價(jià)來(lái)最小化裸片尺寸并節(jié)省功耗時(shí),他們會(huì)使用雙柵極單鰭 (2-1) FinFET(見(jiàn)圖)。但是,當(dāng)他們需要在芯片尺寸和更高功率的權(quán)衡下最大限度地提高性能時(shí),他們會(huì)使用三柵極雙鰭 (3-2) 晶體管。當(dāng)開(kāi)發(fā)人員需要平衡時(shí),他們會(huì)選擇雙柵極雙鰭 (2-2) FinFET。
目前,芯片設(shè)計(jì)人員必須為整個(gè)芯片或 SoC 設(shè)計(jì)中的整個(gè)模塊堅(jiān)持一種庫(kù)/晶體管類(lèi)型。例如,可以使用 3-2 個(gè) FinFET 來(lái)實(shí)現(xiàn) CPU 內(nèi)核以使其運(yùn)行更快,或者使用 2-1 個(gè) FinFET 來(lái)降低其功耗和占用空間。
這是一個(gè)公平的權(quán)衡,但它并不適用于所有情況,尤其是當(dāng)我們談?wù)撌褂帽痊F(xiàn)有技術(shù)更昂貴的 3 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)時(shí)。
對(duì)于 N3,臺(tái)積電的 FinFlex 技術(shù)將允許芯片設(shè)計(jì)人員在一個(gè)模塊內(nèi)混合和匹配不同類(lèi)型的 FinFET,以精確定制性能、功耗和面積。對(duì)于像 CPU 內(nèi)核這樣的復(fù)雜結(jié)構(gòu),這樣的優(yōu)化提供了很多提高內(nèi)核性能的機(jī)會(huì),同時(shí)仍然優(yōu)化了裸片尺寸。因此,我們渴望看到 SoC 設(shè)計(jì)人員將如何在即將到來(lái)的 N3 時(shí)代利用 FinFlex。
FinFlex 不能替代節(jié)點(diǎn)專(zhuān)業(yè)化(性能、密度、電壓),因?yàn)?A href="http://m.huaquanjd.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e5%b7%a5%e8%89%ba&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">工藝技術(shù)比單一工藝技術(shù)中的庫(kù)或晶體管結(jié)構(gòu)有更大的差異,但 FinFlex 看起來(lái)是優(yōu)化性能、功率和成本的好方法臺(tái)積電的 N3 節(jié)點(diǎn)。最終,這項(xiàng)技術(shù)將使 FinFET 的靈活性更接近基于納米片的 GAAFET 的靈活性,后者將提供可調(diào)節(jié)的通道寬度,以獲得更高的性能或降低功耗。
與臺(tái)積電的 N7 和 N5 一樣,N3 將成為世界上最大的半導(dǎo)體對(duì)比度制造商的另一個(gè)持久節(jié)點(diǎn)系列。尤其是隨著臺(tái)積電在 2nm 階段轉(zhuǎn)向基于納米片的 GAAFET,3nm 系列將成為該公司“經(jīng)典”前沿 FinFET 節(jié)點(diǎn)的最后一個(gè)系列,許多客戶將堅(jiān)持使用幾年(或者更多)。
反過(guò)來(lái),這也是臺(tái)積電為不同應(yīng)用準(zhǔn)備多個(gè)版本的 N3 以及 FinFlex 技術(shù)的原因,以便為芯片設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)提供一些額外的靈活性。
首批 N3 芯片將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)投入生產(chǎn),并于 2023 年初上市。同時(shí),臺(tái)積電在 2025 年推出 N2 工藝技術(shù)后,仍將繼續(xù)使用其 N3 節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)半導(dǎo)體。
成熟產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)50%
臺(tái)積電今天下午透露,到 2025 年,其成熟和專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能將擴(kuò)大約 50%。該計(jì)劃包括在中國(guó)臺(tái)灣、日本和中國(guó)大陸建設(shè)大量新晶圓廠。此舉將進(jìn)一步加劇臺(tái)積電與格芯、聯(lián)電、中芯國(guó)際等芯片代工廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)。
當(dāng)我們?cè)?AnandTech 談?wù)摴韫饪碳夹g(shù)時(shí),我們主要介紹用于生產(chǎn)先進(jìn) CPU、GPU 和移動(dòng) SoC 的前沿節(jié)點(diǎn),因?yàn)檫@些都是推動(dòng)進(jìn)步的設(shè)備。但是有數(shù)百種設(shè)備是基于成熟或?qū)I(yè)的工藝技術(shù)制造的,這些設(shè)備與那些復(fù)雜的處理器一起使用,或者為對(duì)我們的日常生活產(chǎn)生重大影響并且近年來(lái)變得越來(lái)越重要的新興智能設(shè)備提供動(dòng)力。
近年來(lái),各種計(jì)算和智能設(shè)備的需求激增,引發(fā)了全球芯片供應(yīng)危機(jī),進(jìn)而影響到汽車(chē)、消費(fèi)電子、PC和眾多相鄰行業(yè)。
現(xiàn)代智能手機(jī)、智能家電和個(gè)人電腦已經(jīng)使用了數(shù)十種芯片和傳感器,而這些芯片的數(shù)量(和復(fù)雜性)只會(huì)越來(lái)越多。這些零件使用更先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn),這也是臺(tái)積電等公司必須擴(kuò)大原本“舊”節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能以滿足未來(lái)幾年不斷增長(zhǎng)的需求的原因之一。
但還有另一個(gè)市場(chǎng)即將爆發(fā):智能汽車(chē)。汽車(chē)已經(jīng)使用了數(shù)百個(gè)芯片,汽車(chē)的半導(dǎo)體含量也在不斷增長(zhǎng)。據(jù)估計(jì),幾年后每輛汽車(chē)的芯片數(shù)量將達(dá)到 1,500 個(gè)左右——而且必須有人制造它們。這就是為什么臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 GlobalFoundries 和中芯國(guó)際在過(guò)去幾年一直在增加對(duì)新產(chǎn)能的投資。
臺(tái)積電在半導(dǎo)體行業(yè)擁有最大的資本支出預(yù)算(僅受到三星的挑戰(zhàn)),近年來(lái)對(duì)其成熟和專(zhuān)業(yè)的節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)計(jì)劃相對(duì)安靜。但在 2022 年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上,該公司正式概述了其計(jì)劃。
該公司正在為成熟和專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)投資四個(gè)新設(shè)施:
位于日本熊本的Fab 23 第一期 。該半導(dǎo)體制造工廠將使用臺(tái)積電的 N12、N16、N22 和 N28 節(jié)點(diǎn)制造芯片,并將擁有每月高達(dá) 45,000 片 300 毫米晶圓的生產(chǎn)能力。
臺(tái)灣臺(tái)南 Fab 14 第 8 期。
臺(tái)灣高雄 Fab 22 二期。
位于中國(guó)南京的 Fab 16 1B 期。臺(tái)積電目前在中國(guó)生產(chǎn)其 N28 芯片,不過(guò)曾有傳言稱(chēng)新階段能夠使用更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)制造芯片。
在未來(lái)三年內(nèi)將成熟/專(zhuān)業(yè)化產(chǎn)能提高 50% 對(duì)公司來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大轉(zhuǎn)變,這將提高臺(tái)積電在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)地位。或許更重要的是,該公司的專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)主要基于其通用節(jié)點(diǎn),這允許至少一些公司將他們?cè)?jīng)為計(jì)算或 RF 開(kāi)發(fā)的 IP 重新用于新應(yīng)用程序。
“[我們的] 專(zhuān)業(yè)技術(shù)非常獨(dú)特,因?yàn)樗谕ㄓ眉夹g(shù)平臺(tái) [邏輯技術(shù)平臺(tái)],因此我們的獨(dú)特策略是讓我們的客戶共享或重用許多 [通用] IP,”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁、高級(jí)工程師 Kevin Zhang 說(shuō)。“例如,你有射頻能力,你在通用邏輯平臺(tái)上構(gòu)建射頻,但后來(lái)你發(fā)現(xiàn)'嘿,有人需要所謂的 ULV 功能來(lái)支持物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品應(yīng)用。' 您想在一個(gè)通用平臺(tái)上構(gòu)建它,這樣您就可以允許不同的產(chǎn)品線能夠全面共享 IP,這對(duì)我們的客戶非常重要,因此我們確實(shí)希望提供一個(gè)集成平臺(tái)來(lái)滿足客戶的市場(chǎng)需求產(chǎn)品視角。
還有其他優(yōu)點(diǎn)。例如,臺(tái)積電的 N6RF 允許芯片設(shè)計(jì)人員將高性能邏輯與 RF 相結(jié)合,從而使他們能夠構(gòu)建調(diào)制解調(diào)器等產(chǎn)品和其他更獨(dú)特的解決方案。許多公司已經(jīng)熟悉 TSMC 的 N6 邏輯節(jié)點(diǎn),因此現(xiàn)在他們有機(jī)會(huì)將 RF 連接添加到受益于高性能的產(chǎn)品中。GlobalFoundries 也有類(lèi)似的做法,但由于美國(guó)的代工廠沒(méi)有任何東西可以與臺(tái)積電的 N6 相提并論,因此臺(tái)積電在這方面具有無(wú)可爭(zhēng)辯的優(yōu)勢(shì)。
憑借其成熟節(jié)點(diǎn)和專(zhuān)業(yè)技術(shù)的通用平臺(tái)方法,以及增加 50% 的容量,臺(tái)積電將能夠在未來(lái)幾年為全球提供更多用于智能和連接設(shè)備的芯片。此外,它還將通過(guò)顯著增加公司來(lái)自成熟和專(zhuān)業(yè)節(jié)點(diǎn)的收入以及增加對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的壓力來(lái)使臺(tái)積電受益。
2024年引入High NA EUV光刻機(jī)
臺(tái)積電高管周四表示,這家全球最大的芯片制造商將在 2024 年擁有下一個(gè)版本的 ASML Holding NV 最先進(jìn)的芯片制造工具。
這種名為“high-NA EUV”的工具產(chǎn)生聚焦光束,在用于手機(jī)、筆記本電腦、汽車(chē)和人工智能設(shè)備(如智能揚(yáng)聲器)的計(jì)算機(jī)芯片上創(chuàng)建微觀電路。EUV 代表極紫外,即 ASML 最先進(jìn)機(jī)器使用的光波長(zhǎng)。
“臺(tái)積電將在 2024 年引入高 NA EUV 掃描儀,以開(kāi)發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案化解決方案,以推動(dòng)創(chuàng)新,”臺(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁 YJ Mii 在硅谷舉行的臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)上表示。
Mii沒(méi)有透露該設(shè)備何時(shí)用于大規(guī)模生產(chǎn),該設(shè)備是用于制造更小更快芯片的第二代極紫外光刻工具。臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾公司表示,它將在 2025 年之前將這些機(jī)器投入生產(chǎn),并且它將是第一家收到該機(jī)器的公司。
隨著英特爾進(jìn)入其他公司設(shè)計(jì)的芯片制造業(yè)務(wù),它將與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)這些客戶。
臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張凱文澄清說(shuō),臺(tái)積電不會(huì)在 2024 年準(zhǔn)備好使用新的High NA EUV 工具進(jìn)行生產(chǎn),但它將主要用于與合作伙伴的研究。
“臺(tái)積電在 2024 年擁有它的重要性意味著他們可以更快地獲得最先進(jìn)的技術(shù),”參加研討會(huì)的 TechInsights 的芯片經(jīng)濟(jì)學(xué)家 Dan Hutcheson 說(shuō)。
“High-NA EUV 是技術(shù)的下一個(gè)重大創(chuàng)新,它將使芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位,”Hutcheson 說(shuō)。
參考鏈接
https://www.anandtech.com/show/17453/tsmc-unveils-n2-nanosheets-bring-significant-benefits
https://www.anandtech.com/show/17452/tsmc-readies-five-3nm-process-technologies-with-finflex
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