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臺(tái)積電或公布2nm工藝細(xì)節(jié):功耗降低30%

摘要:在9月份量產(chǎn)3nm工藝之后,臺(tái)積電下一代的工藝也已經(jīng)在路上了,2nm工藝未來(lái)兩年中將接替3nm工藝。臺(tái)積電在6月份正式公布了2nm工藝,并透露了一些技術(shù)細(xì)節(jié),相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

  ICC訊 在9月份量產(chǎn)3nm工藝之后,臺(tái)積電下一代的工藝也已經(jīng)在路上了,2nm工藝未來(lái)兩年中將接替3nm工藝臺(tái)積電在6月份正式公布了2nm工藝,并透露了一些技術(shù)細(xì)節(jié),相比3nm工藝,在相同功耗下,2nm速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%。

  不過在晶體管密度上,2nm工藝的提升就不那么讓人滿意了,相比3nm只提升了10%,遠(yuǎn)低于以往至少70%的晶體管密度提升——按照摩爾定律來(lái)算,密度應(yīng)該提升100%才算新一代工藝。此外,臺(tái)積電2nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間也要等到2025年下半年,這意味著終端產(chǎn)品出貨要等到2026年了,升級(jí)周期也要比當(dāng)前的節(jié)點(diǎn)慢不少。

  2nm工藝到底為什么密度提升有限?又有哪些首發(fā)客戶?這些關(guān)鍵問題還要臺(tái)積電解答,正好8月30日該公司還有技術(shù)論壇會(huì)議召開,2nm工藝勢(shì)必會(huì)是明天的焦點(diǎn),臺(tái)積電屆時(shí)應(yīng)該會(huì)公布更多的細(xì)節(jié)信息。

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關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 2nm 工藝 功耗
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